雷亮
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：北京工业大学更多>>
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- 量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究
- 2017年
- 本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响。结果表明:随着阱宽的增加,LED的电流密度变小;在阱宽为5 nm左右时,LED的发光功率最高,但此时器件的波长位于橙色区域内,并且此时器件的发光效率较低;在阱宽为2.5 nm^3.5 nm时,发光效率最大,且波长在蓝光范围内;阱宽一定时,随着电压的增加光谱有一定的蓝移现象。深入分析了发光效率及光谱变化的原因发现,束缚态能级的不同状态是导致光谱发生蓝移的原因,而俄歇复合的增强是导致器件效率下降的主要原因。
- 吴月芳郭伟玲陈艳芳雷亮
- 关键词：蓝光LED光电性能
- GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展被引量：4
- 2017年
- 作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总结了AlGaN/GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展,并着重从AlGaN/GaN SBD的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度,阐述了这些结构的优化对AlGaN/GaN SBD性能的影响;最后,对器件进一步的发展方向进行了展望。
- 吴月芳郭伟玲陈艳芳雷亮
- 关键词：外延片结构优化
- GaN基HEMT器件的缺陷研究综述被引量：2
- 2017年
- GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)因具有高输出功率密度、高工作频率、高工作温度等优良特性,在高频大功率等领域具有广泛应用前景。目前,HEMT器件在材料生长和工艺制备方面都取得了巨大的进步。但是,由缺陷产生的陷阱效应一直是限制其发展的重要原因。本文首先论述了HEMT器件中的表面态、界面缺陷和体缺陷所在位置及其产生的原因。然后,阐述了由陷阱效应引起的器件电流崩塌、栅延迟、漏延迟、Kink效应等现象,从器件结构设计和工艺设计角度,总结提出了改善缺陷相关问题的主要措施,其中着重总结了器件盖帽层、表面处理、钝化层和场板结构4个方面的最新研究进展。最后,探索了GaN基HEMT器件在缺陷相关问题上的未来优化方向。
- 郭伟玲陈艳芳李松宇雷亮柏常青
- 关键词：GAN
- 增强型GaN HEMT及驱动关键模块设计
- 第三代宽禁带半导体GaN材料具备热导率大、击穿电场高、耐高温、抗辐射能力强以及异质结界面处高浓度的二维电子气(2DEG)、电子饱和速率高等独特的物理性质，使得GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)成为新型功率器件的研究热...
- 雷亮
- 关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓驱动电路电学特性
