吴月芳
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 室内白光LED灯具寿命研究与标准验证
- 为解决传统的LED灯具加速衰减试验周期过长而造成产品投放市场不及时的问题,国家半导体照明工程研发及产业联盟标准化委员会（CSAS）制定出了2000h的加速衰减试验方法（标准编号CSA-020）,但其试验的准确性有待进一步...
- 李松宇郭伟玲樊星陈艳芳姜承硕吴月芳
- 文献传递
- 室内白光LED灯具寿命研究与标准验证
- 李松宇郭伟玲樊星陈艳芳姜承硕吴月芳
- AlGaN/GaN肖特基势垒二极管工艺制备与结构优化
- 近些年来，作为第三代半导体代表之一的GaN材料因其在半导体照明和电力电子领域的重要应用价值而成为国内外科研机构和企业的研究热点。AlGaN/GaN异质结肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode，SB...
- 吴月芳
- 关键词：肖特基势垒二极管氮化镓电学特性
- 量子阱宽度对蓝光LED性能影响的研究
- 2017年
- 本文采用器件仿真的方法分析了量子阱宽度对于LED光电性能的影响。结果表明:随着阱宽的增加,LED的电流密度变小;在阱宽为5 nm左右时,LED的发光功率最高,但此时器件的波长位于橙色区域内,并且此时器件的发光效率较低;在阱宽为2.5 nm^3.5 nm时,发光效率最大,且波长在蓝光范围内;阱宽一定时,随着电压的增加光谱有一定的蓝移现象。深入分析了发光效率及光谱变化的原因发现,束缚态能级的不同状态是导致光谱发生蓝移的原因,而俄歇复合的增强是导致器件效率下降的主要原因。
- 吴月芳郭伟玲陈艳芳雷亮
- 关键词：蓝光LED光电性能
- GaN基肖特基势垒二极管结构优化研究进展被引量：4
- 2017年
- 作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD发展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展;接下来,总结了AlGaN/GaN SBD结构、工作原理及结构优化研究进展,并着重从AlGaN/GaN SBD的外延片结构、肖特基电极结构以及边缘终端结构等角度,阐述了这些结构的优化对AlGaN/GaN SBD性能的影响;最后,对器件进一步的发展方向进行了展望。
- 吴月芳郭伟玲陈艳芳雷亮
- 关键词：外延片结构优化
