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刘建超

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇RSD
  • 2篇电压
  • 2篇损耗
  • 2篇脉冲
  • 2篇脉冲开关
  • 2篇晶体管
  • 2篇开关
  • 2篇开关晶体管
  • 2篇反向开关晶体...
  • 2篇磁开关
  • 1篇电磁
  • 1篇电磁发射
  • 1篇电流
  • 1篇电路
  • 1篇电路参数
  • 1篇电压电流
  • 1篇电压试验
  • 1篇电阻负载
  • 1篇损耗试验
  • 1篇通态损耗

机构

  • 5篇华中科技大学

作者

  • 5篇刘建超
  • 3篇余岳辉
  • 2篇尚超
  • 2篇李伟邦
  • 2篇彭亚斌
  • 2篇梁琳
  • 1篇冯仁伟
  • 1篇费鹏
  • 1篇梁淋
  • 1篇王玉彬

传媒

  • 1篇2007年中...
  • 1篇2008年中...
  • 1篇中国电源学会...

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
RSD应用中磁开关饱和时间测量
采用串联RLC振荡电路脉冲测量磁开关的电压电流，拟合它的磁滞回线，并提取相关参数对它的饱和时间进行了设计。通过Saber仿真证明了该方法的可行性。通过计算和实验，获得其在300V～3000V下的饱和时间，计算结果在51....
李伟邦余岳辉尚超梁淋刘建超
关键词：反向开关晶体管磁开关磁滞回线电压电流
文献传递
RSD器件通态损耗对脉冲电流峰值的影响研究
反向开通复合管RSD基于反向预充开通方式,具有在整个芯片面积上均匀导通、容易串并联、高电流上升率、寿命长等优点。本文在不同电阻负载下,进行了高电压试验。试验结果表明,负载相同时,RSD在开通大电流时,器件损耗对电路影响很...
彭亚斌余岳辉梁琳王玉彬刘建超
关键词：脉冲开关放电电压电路参数高电压试验电阻负载
文献传递
基于RSD重复频率放电应用的研究
重复频率脉冲电源是脉冲功率领域的重要研究对象之一。新型半导体开关RSD/(Reversely Switched Dynistor/)相对于传统开关有以下优点:开关过程在器件的全面积均匀的同时发生,它开通速度快,可以获得很...
刘建超
关键词：脉冲功率技术脉冲电源RSD磁开关重复频率充电方式
文献传递
一种单物镜光片荧光扫描成像系统
本发明公开了一种单物镜光片荧光扫描成像系统，包括二向色镜和主物镜、光束整形模块、曝光相机以及轴向扫描模块；所述二向色镜与主物镜同时处于激发光路和探测光路上：所述光束整形模块产生的照明光片通过二向色镜投射在所述主物镜后瞳边...
费鹏高诗萌周瑶马异凡刘建超
高功率半导体脉冲开关RSD的脉冲换流损耗试验
对应用于亚毫秒高功率脉冲电源的反向开关晶体管（Reverse Switched Dynistor，RSD）开关进行了大电流脉冲换流损耗特性测试。在SABER-SIMULINK协同仿真环境中，建立了直接预充方式的RSD脉冲...
彭亚斌余岳辉梁琳尚超刘建超冯仁伟李伟邦
关键词：反向开关晶体管电磁发射
文献传递
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