李伟邦
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程化学工程更多>>
- 两种不同预充拓扑的反向导通双晶复合管高压脉冲电路被引量：2
- 2010年
- 为了获得窄脉宽下的大脉冲电流,研究了基于反向导通双晶复合管开关的2种不同预充拓扑的高压脉冲电路—直接预充拓扑和变压器预充拓扑。首先建立了RSD的工作拓扑模型,并分析了RSD正常开通所需要的条件:足够的预充电荷量QR和匹配的磁开关延时时间ts;然后按照开通的要求对电容、电感、负载等回路参数进行设计并选择合适的开关;最后,通过Saber仿真和实验验证了设计的合理性,并对结果进行了对比分析。根据实验结果,在主电压10kV下,两种拓扑电路分别成功通过了14μs脉宽下9.0kA的主电流和15μs脉宽下7.5kA的主电流,通过RSD开关的浪涌电流时间平方积分别为545A2·s、426A2·s。实验表明,直接式预充拓扑电路设计和维护相对容易,其主要应用在单次的人工控制环境;变压器预充拓扑电路能实现高低压隔离,其主要应用在重频自动控制环境。
- 余岳辉李伟邦梁琳尚超
- 关键词：半导体开关磁开关高电压
- 基于RSD的重频脉冲功率系统的设计与实现
- 大功率超高速半导体开关RSD（Reversely Switched Dynistor）在微秒和亚微秒量级的高压大电流领域具有明显的优势，开通时的速度很快并且能承受很高的电流和di/dt。本文首先介绍了RSD的结构及其换流...
- 李伟邦
- 关键词：脉冲控制半导体开关电流分布
- 纳米磁性膜微波特性研究
- 2007年
- 采用微磁学动态计算方法模拟计算了镍铁合金在多种条件下的高频磁化率。由计算结果得出磁化率虚部出现了两个共振峰[1]:主的共振峰出现在9G赫兹附近,符合宏观的Landau-Lifshitz(LL)方程的预测,次共振峰是由于磁畴取向在材料边缘出现张开影响产生的。当材料宽度增加时,共振峰整体向低频方向移动;随着材料边沿曲线化程度的加深,次共振峰不断接近主共振峰。
- 李侃伦李伟邦王帅江建军
- RSD应用中磁开关饱和时间测量
- 采用串联RLC振荡电路脉冲测量磁开关的电压电流，拟合它的磁滞回线，并提取相关参数对它的饱和时间进行了设计。通过Saber仿真证明了该方法的可行性。通过计算和实验，获得其在300V～3000V下的饱和时间，计算结果在51....
- 李伟邦余岳辉尚超梁淋刘建超
- 关键词：反向开关晶体管磁开关磁滞回线电压电流
- 文献传递
- 高功率半导体脉冲开关RSD的脉冲换流损耗试验
- 对应用于亚毫秒高功率脉冲电源的反向开关晶体管（Reverse Switched Dynistor，RSD）开关进行了大电流脉冲换流损耗特性测试。在SABER-SIMULINK协同仿真环境中，建立了直接预充方式的RSD脉冲...
- 彭亚斌余岳辉梁琳尚超刘建超冯仁伟李伟邦
- 关键词：反向开关晶体管电磁发射
- 文献传递
- 基于脉冲变压器RSD直接式预充的设计与研究
- 2011年
- 基于反向开关晶体管(RSD)的工作原理,提出采用脉冲变压器隔离的直接式触发高压RSD,以解决系统对触发开关要求较高的问题。脉冲变压器的作用是隔离主放电回路的高压,同时在有限的时间内给RSD提供足够的预充电荷且经过一定的时间延迟后饱和。据此,利用变压器等效电路对其进行了设计,得到了变压器及电路的相关参数。利用电路仿真软件Saber仿真脉冲变压器的饱和特性,并进行了实验验证。最后以10kV电压通过RSD对负载放电为例,验证方案的可行性,得到峰值为12kA、底宽15μs、di/dt为2kA/μs的主电流。实验完毕,经测试,器件完好无损。
- 尚超余岳辉吴拥军冯仁伟李伟邦
- 关键词：反向开关晶体管脉冲变压器磁开关SABER
