冯仁伟
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- RSD二维数值模拟与预充过程分析被引量：3
- 2012年
- 为了加深对反向开关晶体管(RSD)器件原理的认识,本文基于半导体物理基本方程,在二维元胞单元上利用有限差分的方法建立了RSD器件的数值模型。模型考虑了载流子间散射、SRH和俄歇复合、碰撞电离等物理效应。采用实验电路提取的参数建立了RSD谐振预充触发电路的外电路模型。联合器件模型方程组和谐振触发外电路模型方程,利用Matlab语言采用Runge-Kutta和牛顿迭代的方法求解并获得了器件瞬态载流子分布和电压电流波形。本文在对比实验结果的基础上,解释并说明了模型的有效性和误差的产生原因。基于载流子和电流分布变化数据,详细分析了RSD预充过程。发现了预充过程中存在的强烈俄歇复合现象和电流抽取现象将导致预充电流注入的等离子体大量减少,因此不宜直接采用电流时间积分值计算预充电荷总量。
- 余岳辉冯仁伟梁琳
- 关键词：反向开关晶体管数值模拟载流子分布
- 反向开关晶体管开关通态峰值压降的精确测量与研究被引量：4
- 2011年
- 基于反向开关晶体管的特殊工作原理,设计了并联电阻法精确测量RSD的通态峰值压降。介绍了通态峰值压降的测量原理及过程,并确定了电路参数。实验结果表明:直径16mm的单片反向开关晶体管在1.2kA的脉冲电流(脉宽17.5μs)下测得通态峰值压降为8.0V。并且,反向开关晶体管通态峰值压降随换流峰值的增大而增大;改变分压电阻比值对测量结果无明显影响。
- 尚超梁琳余岳辉冯仁伟刘雪青
- 关键词：反向开关晶体管功率半导体器件二极管
- RSD预充与开通过程数值分析与电压测量
- 本文首先介绍了脉冲功率技术的基本概念和脉冲功率系统中传统开关器件与半导体开关器件的优缺点。反向开关晶体管RSD（Reversely Switched Dynistor）是一种基于可控等离子体层原理的新型脉冲功率器件。相比...
- 冯仁伟
- 关键词：脉冲控制半导体开关电压波形
- 高功率半导体脉冲开关RSD的脉冲换流损耗试验
- 对应用于亚毫秒高功率脉冲电源的反向开关晶体管（Reverse Switched Dynistor，RSD）开关进行了大电流脉冲换流损耗特性测试。在SABER-SIMULINK协同仿真环境中，建立了直接预充方式的RSD脉冲...
- 彭亚斌余岳辉梁琳尚超刘建超冯仁伟李伟邦
- 关键词：反向开关晶体管电磁发射
- 文献传递
- 基于脉冲变压器RSD直接式预充的设计与研究
- 2011年
- 基于反向开关晶体管(RSD)的工作原理,提出采用脉冲变压器隔离的直接式触发高压RSD,以解决系统对触发开关要求较高的问题。脉冲变压器的作用是隔离主放电回路的高压,同时在有限的时间内给RSD提供足够的预充电荷且经过一定的时间延迟后饱和。据此,利用变压器等效电路对其进行了设计,得到了变压器及电路的相关参数。利用电路仿真软件Saber仿真脉冲变压器的饱和特性,并进行了实验验证。最后以10kV电压通过RSD对负载放电为例,验证方案的可行性,得到峰值为12kA、底宽15μs、di/dt为2kA/μs的主电流。实验完毕,经测试,器件完好无损。
- 尚超余岳辉吴拥军冯仁伟李伟邦
- 关键词：反向开关晶体管脉冲变压器磁开关SABER
