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江小帆

作品数：6 被引量：1H指数：1
供职机构：南京大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 3篇量子
  • 3篇硅薄膜
  • 3篇存储器
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇量子点
  • 2篇量子点阵列
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米硅
  • 2篇开关比
  • 2篇发光
  • 2篇衬底
  • 2篇衬底材料
  • 1篇氮化硅
  • 1篇氮化硅薄膜
  • 1篇低功耗
  • 1篇电极
  • 1篇电子器件
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇氢化

机构

  • 6篇南京大学

作者

  • 6篇江小帆
  • 4篇马忠元
  • 4篇徐岭
  • 4篇徐骏
  • 4篇冯端
  • 4篇黄信凡
  • 4篇陈坤基
  • 3篇夏国银
  • 2篇杨华峰
  • 2篇李伟
  • 1篇倪小东
  • 1篇方忠慧
  • 1篇史勇
  • 1篇张小伟
  • 1篇王越飞

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面...
马忠元陈坤基徐岭夏国银江小帆杨华峰徐骏黄信凡冯端
Si基低维量子结构的光电子特性研究
利用绝缘层上的硅(SOI)材料，分别制备出一维限制的单晶Si量子阱结构和二维限制的Si纳米线结构。在室温下研究了单晶Si量子阱的光致发光(PL)特性，观测到量子限制效应引起的发光峰位随阱层厚度变小的蓝移现象。对Si纳米线...
方忠慧江小帆黄信凡
关键词：光致发光性质量子限制效应
基于氢化氮化硅薄膜的超低功耗和免激活阻变存储器研制与存储机制探究
随着存储密度的不断提高和器件尺寸的不断缩小，传统的半导体存储器DRAM和Flash都已经接近其物理极限，进一步的缩小将面临很多技术难题。而阻变存储技术作为一种全新的存储技术，其拥有着许多先天性的优势。首先，作为一种基于物...
江小帆
文献传递
一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器及其制备方法
本发明涉及一种有序可控纳米硅量子点阵列阻变存储器，属于非挥发性存储器技术领域。该存储器包括P+硅衬底材料，其特征在于：还包括附着在衬底材料上的阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列，以及分别附着在阻变硅量子点多层膜纳米柱阵列上表面...
马忠元陈坤基徐岭夏国银江小帆杨华峰徐骏黄信凡冯端
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SiOx(x=1.3)薄膜的优化阻变特性与退火温度的关系探究被引量：1
2014年
采用电子束蒸发技术在Si衬底上制备了亚氧化硅SiOx(x=1.3)薄膜,研究了不同温度热退火处理的SiOx薄膜作为阻变层的ITO/SiOx/Si/Al结构的阻变特性.研究发现,在电极尺寸相同的条件下,随着退火温度的增加,该结构的高低阻态比显著提高,最高可达109.X射线光电子能谱和电子顺磁共振能谱的分析表明,不同退火温度下形成的不同价态的硅悬挂键是低阻态下细丝通道的主要来源.椭偏仪的测试结果表明,经过热退火处理的SiOx薄膜折射率的增大是导致高阻态下器件电阻增大的原因.
任圣马忠元江小帆王越飞夏国银陈坤基黄信凡徐骏徐岭李伟冯端
关键词：SIOX薄膜
一种纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管及其制备方法
本发明涉及纳米银圆环局域表面等离激元增强型发光二极管,同时还涉及其制备方法，属于纳米光电子器件材料技术领域。该二极管包括P型硅基底，P型硅基底上的纳米银圆环；沉积在纳米银圆环覆盖P型硅基底的掺氧a-SiNx:O薄膜发光有...
马忠元徐岭倪小东江小帆杨华烽史勇任圣张小伟李伟徐骏陈坤基冯端
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