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雷红兵

作品数:26 被引量:89H指数:6
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
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相关领域:电子电信理学自动化与计算机技术更多>>

文献类型

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  • 10篇2000
  • 1篇1999
  • 4篇1998
  • 4篇1997
  • 2篇1994
26 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
SiO<,2>/Si波导器件材料的制备
王红杰雷红兵杨沁清
关键词:波导结构波导材料
文献传递
Er,O离子共注入GaAs的二次离子质谱的研究
1997年
在Ⅲ-Ⅴ族半导体GaAs外延层上共注入Er和O离子(GaAs:Er,O).经面对面优化退火后,光致发光(photoluminescence-PL)谱中观测到对应Er3+第一激发态到基态4I13/2-4I15/2跃迁,其相对强度较单注入Er的GaAs(GaAs:Er)增强10倍,且谱线变窄.从二次离子质谱(SecondaryIonMasSpectrometry-SIMS)和卢瑟福背散射实验给出退火前后Er在GaAs:Er样品中的剖面分布.SIMS测量分别给出O注入前后Er和O在GaAs:Er,O中的深度剖面分布,分析表明Er和O共注入后形成光学激活有效的发光中心.
陈辰嘉李海涛王学忠周必忠雷红兵肖方方
关键词:二次离子质谱砷化镓发光学
阵列波导光栅解复用器输入/输出波导结构串扰的数值分析被引量:7
1999年
本论文采用Marcatili方法分析矩形波导的模场特性,在此基础上计算了AWG波分复用/解复用器串扰与输入/输出波导间隙参数(dr/w),波导结构参数V的变化关系.计算了串扰值一定时,选取V参数与dr/w的关系曲线.分析了在不同折射率差波导中,串扰与偏振的相关性,为器件的整体优化设计提供了参考数据.
雷红兵欧海燕胡雄伟杨沁清余金中王启明
关键词:平面波导阵列波导光栅串扰
掺铒硅发光的晶场分裂被引量:17
1998年
测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱,得到9条铒发光分裂谱线.利用群对称理论指出9条谱线来自Er3+中4I13/2到4I15/2光跃迁在Td晶场下的分裂.Er3+的第一激发态4I13/2最低能量的两个Stark能级为Γ8,Γ6(能量递增),它们到基态4I15/2相应晶场Stark能级的允许辐射跃迁为9条谱线.硅∶铒,氧样品发光强度增加,但光谱结构与硅∶铒样品相同,表明氧杂质所产生的配位场叠加在硅晶场上,增强了Td晶场强度,但并没有改变铒发光中心的晶场对称性.
雷红兵杨沁清王启明
关键词:掺杂发光光谱
硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析被引量:6
2001年
从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较大 ,弯曲损耗也较大。
欧海燕雷红兵杨沁清王红杰王启明胡雄伟
关键词:偏振
掺铒硅光致发光激子传递能量机制被引量:5
2000年
铒离子在硅中呈现弱施主特性 ,O、Er双掺杂可提高施主浓度两个数量级 .氧杂质与铒离子形成复合体 ,其施主能级可能是铒离子发光能量转换的重要通道 .提出了掺铒硅光致发光激子传递能量模型 ,建立了发光动力学速率方程 ,并进行了详细推导 .发光效率与光激活铒离子浓度、激发态寿命及自发辐射寿命等因素有关 .指出铒离子 -束缚激子复合体的热离化和激发态铒离子能量反向传递是引起铒离子发光温度猝灭的主要原因 .拟合 PL测量实验结果表明 :它们对应的激活能分别为 6.6me V和 47.4me V.
雷红兵杨沁清欧海燕余金中王启明
关键词:光致发光
用氧化多孔硅方法制备厚的SiO_2膜及其微观分析被引量:13
2000年
用氧化多孔硅的方法来制备厚的 Si O2 成本低 ,省时 .氧化硅膜的厚度 ,表面粗糙度和组分这三个参数 ,对波导器件的性能有重要影响 ,扫描电子显微镜 ( SEM)、原子力显微镜 ( AFM)和俄歇分析得到 :氧化的多孔硅的膜厚已达 2 1 .2μm;表面粗糙度在 1 nm以内 ,Si和 O的组分比为 1∶ 1 .90 6.这些结果表明 ,用氧化多孔硅方法制备的厚 Si O2
欧海燕杨沁清雷红兵王红杰余金中王启明胡雄伟
关键词:氧化多孔硅
离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究被引量:12
1998年
本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱,有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μm、1.570μm、1.598μm和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强.结合背散射谱,认为其有效的发光中心为处于Td对称中心的填隙铒Er3+离子.在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心,其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm.
雷红兵杨沁清王启明周必忠肖方方吴名枋
关键词:光致发光离子注入
平面阵列波导光栅及其在WDM系统中的应用前景被引量:3
2000年
简述了阵列被导光栅复用/解复用器件的基本原理及其相关特性,并对其在WDM光通信关键器件中的应用作了概述.
雷红兵欧海燕王红杰胡雄伟杨沁清王启明
关键词:阵列波导光栅波分复用平面光波导
陈列波导光栅(AWG)复用/解复用器研究
波分复用技术(WDM)是解决宽带、大容量光纤网络通信的一种有效方法.从矩形波导的模式理论出发,分析了波导阵列光栅复用/解复用器输入/输出波导间隔参数dr/w对器件串扰的影响.分析了阵列波导光栅复用/解复用器中光场从输入波...
雷红兵
关键词:阵列波导光栅波分复用
文献传递
共3页<123>
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