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杨沁清

作品数：44 被引量：145H指数：8
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作者

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  • 5篇1997
  • 4篇1996
  • 2篇1990
共 44 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
新型结构的1．3μm　Ge_xSi_（1－x）／Si　MQW波导探测器的优化设计被引量：4
1996年
本文首次提出了一种新型的环形ＧｅｘＳｉ（１－ｘ）／Ｓｉ波导探测器结构．器件的主体由３μｍ宽的环形波导构成．器件的输入端是８μｍ宽的波导．这两部分通过劈形波导过渡连接，各部分经过优化设计，可以同时实现高的耦合效率和高内量子效率．对于器件的材料结构、电学和光学特性进行了仔细的分析与设计．结果表明，优化设计的器件其外量子效率可达２８％，比已经报道的直波导探测器的外量子效率提高２～３倍．而上升下降时间仍然保持在１１０ｐｓ左右．
刘育梁杨沁清王启明
关键词：硅化锗多量子阱优化设计
多量子阱PIN光电探测器
1999年
杨沁清李成
关键词：光电探测器集成电路
硅基量子点的制备及其发光特性被引量：3
1997年
硅基光电子学无疑是今后光电子学发展的方向。这就要求硅基材料能够满足发光器件的要求，从而达到光电集成的目的。因为硅体材料具有非直接带隙的特点，其发光效率很低，所以利用硅基低维量子结构，尤其是量子点结构提高硅基材料的发光性能一直是国内外本领域的一个研究特点。本文对近年来硅基量子点的制备及发光特性研究所取得的进展和结果进行了总结和评述。
司俊杰杨沁清王启明
关键词：半导体材料硅量子点发光
阵列波导光栅解复用器输入/输出波导结构串扰的数值分析被引量：7
1999年
本论文采用Ｍａｒｃａｔｉｌｉ方法分析矩形波导的模场特性，在此基础上计算了ＡＷＧ波分复用／解复用器串扰与输入／输出波导间隙参数（ｄｒ／ｗ），波导结构参数Ｖ的变化关系．计算了串扰值一定时，选取Ｖ参数与ｄｒ／ｗ的关系曲线．分析了在不同折射率差波导中，串扰与偏振的相关性，为器件的整体优化设计提供了参考数据．
雷红兵欧海燕胡雄伟杨沁清余金中王启明
关键词：平面波导阵列波导光栅串扰
掺Er凝胶玻璃中Er离子发光性质的研究被引量：12
1998年
用溶胶－凝胶方法合成了掺铒（掺杂浓度１０２０／ｃｍ３）的二氧化硅玻璃。在室温下可产生１．５４μｍ波长的红外荧光。实验结果表明：荧光强度随掺杂浓度的不同而改变，并在０．５Ｗ％的掺杂浓度下出现最大值。当温度从４Ｋ升至３００Ｋ时，荧光强度下降了７４％。通过ＦＴ－ＩＲ和ＥＸＡＦＳ检测，Ｅｒ离子与Ｏ组成了配位数为８或９的配位结构。
吴瑾光徐端夫胡天斗周维金徐光宪王启明杨沁清雷宏兵
关键词：掺铒铒掺杂凝胶玻璃发光性质
掺铒硅发光的晶场分裂被引量：17
1998年
测量了掺铒硅的高分辨光致发光光谱，得到９条铒发光分裂谱线．利用群对称理论指出９条谱线来自Ｅｒ３＋中４Ｉ１３／２到４Ｉ１５／２光跃迁在Ｔｄ晶场下的分裂．Ｅｒ３＋的第一激发态４Ｉ１３／２最低能量的两个Ｓｔａｒｋ能级为Γ８，Γ６（能量递增），它们到基态４Ｉ１５／２相应晶场Ｓｔａｒｋ能级的允许辐射跃迁为９条谱线．硅∶铒，氧样品发光强度增加，但光谱结构与硅∶铒样品相同，表明氧杂质所产生的配位场叠加在硅晶场上，增强了Ｔｄ晶场强度，但并没有改变铒发光中心的晶场对称性．
雷红兵杨沁清王启明
关键词：掺杂铒发光光谱
硅基二氧化硅光波导器件偏振特性的理论分析被引量：6
2001年
从理论上分析了硅基二氧化硅光波导器件的芯区尺寸、相对折射率差、内应力和弯曲半径对器件偏振特性的影响 ,得出结论 :小折射率差的正方形波导的双折射系数小 ;内应力对双折射的影响比几何参数大 ;弯曲半径较小时 ,双折射系数较大 ,弯曲损耗也较大。
欧海燕雷红兵杨沁清王红杰王启明胡雄伟
关键词：偏振
MBE生长Si<,0.7>Ge<,0.3>/Si多量子阱(MQW)环形波导结构探测器
朱育清杨沁清
SiGe／Si量子阱的低温光荧光和电注入发光
1996年
使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光．阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发光效率．讨论了这种结构的光学和电学特性．
董文甫王启明杨沁清崔堑周钧铭黄绮
关键词：光荧光锗化硅半导体
离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究被引量：14
1998年
本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱，有５个发光峰分别位于１．５３６μｍ、１．５５４μｍ、１．５７０μｍ、１．５９８μｍ和１．６４０μｍ，其中１．５３６μｍ发光峰最强．结合背散射谱，认为其有效的发光中心为处于Ｔｄ对称中心的填隙铒Ｅｒ３＋离子．在Ｅｒ与Ｏ、Ｎ、Ｃ共掺样品应分别存在Ｅｒ－Ｏ、Ｅｒ－Ｎ和Ｅｒ－Ｃ发光中心，其对应的ＰＬ发光峰分别为１．５７０μｍ、１．５３６μｍ和１．６０８μｍ．
雷红兵杨沁清王启明周必忠肖方方吴名枋
关键词：光致发光离子注入硅
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