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任佳琪

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华东师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇寄生电容
  • 2篇电容
  • 2篇多介质
  • 2篇修正因子
  • 2篇保角变换
  • 2篇MOS器件
  • 1篇中道
  • 1篇寄生效应
  • 1篇工艺波动

机构

  • 3篇华东师范大学

作者

  • 3篇任佳琪
  • 2篇孙立杰
  • 2篇李小进
  • 2篇石艳玲
  • 2篇郑芳林
  • 2篇孙亚宾

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
40nm工艺代中道寄生效应及模型研究
随着工艺节点不断降低,版图参数与器件结构参数减小引起的版图邻近效应及寄生效应日趋显著,同时,工艺波动对器件的影响也愈发不可忽略。因此,如何建立一个精确的MOSFET器件模型,使之能够准确描述上述版图与器件结构减小引起的寄...
任佳琪
关键词：工艺波动
文献传递
一种三维MOS器件栅围寄生电容模型获取方法
本发明公开了一种三维MOS器件栅围寄生电容模型的获取方法，包括：步骤一：划分三维MOS器件栅围寄生电容，得到包含平行板电容和垂直板电容的基本电容结构模型；步骤二：近似计算所述基本电容结构模型的单元电容；步骤三：基于保角变...
郑芳林孙立杰任佳琪刘程晟石艳玲李小进孙亚宾
一种三维MOS器件栅围寄生电容模型获取方法
本发明公开了一种三维MOS器件栅围寄生电容模型的获取方法，包括：步骤一：划分三维MOS器件栅围寄生电容，得到包含平行板电容和垂直板电容的基本电容结构模型；步骤二：近似计算所述基本电容结构模型的单元电容；步骤三：基于保角变...
郑芳林孙立杰任佳琪刘程晟石艳玲李小进孙亚宾
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