周鑫
- 作品数：2 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 5~13GHz GaAs限幅低噪声放大器MMIC被引量：3
- 2021年
- 基于0.15μm GaAs pin二极管和GaAs PHEMT工艺,设计并实现了一款5~13 GHz限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该MMIC中限幅器采用三级反向并联二极管结构,优化了插入损耗和耐功率性能;LNA采用两级级联设计,利用负反馈和源电感匹配,在宽带下实现平坦的增益和较小的噪声;限幅器和LNA进行一体化设计,实现了宽带耐功率和低噪声目标。测试结果表明,在5~13 GHz内,该MMIC的小信号增益大于20 dB,噪声系数小于1.8 dB,耐功率大于46 dBm(2 ms脉宽,30%占空比),总功耗小于190 mW,芯片尺寸为3.3 mm×1.2 mm。限幅LNA MMIC芯片的尺寸较小,降低了组件成本,同时降低了组件装配难度,提高通道之间的一致性。
- 曾志周鑫
- 关键词：GAAS宽带PIN二极管
- 基于QFN封装的X波段GaAs T/R套片设计被引量：1
- 2017年
- 基于陶瓷方形扁平无引脚(QFN)封装研制出4款X波段GaAs微波单片集成电路(MMIC),包括GaAs幅相控制多功能芯片(MFC)、功率放大器、低噪声放大器、开关限幅多功能芯片。利用QFN技术将这套芯片封装在一起,组成2GHz带宽的QFN封装收/发(T/R)组件,输出功率大于1 W,封装尺寸为9mm×9mm×1mm。通过提高GaAs MMIC的集成度、放大器单边加电、内部端口匹配,创新性地实现了微波T/R组件的小型化。这几款芯片中最复杂的X波段幅相控制多功能芯片集成了T/R开关、六位数字移相器、五位数字衰减器、增益放大器及串转并驱动器。在工作频段内,收发状态下,增益大于5dB,1dB压缩输出功率(P-1)大于7dBm,移相均方根(RMS)误差小于2.5°,衰减均方根误差小于0.3dB,回波损耗小于-12dB,裸片尺寸为4.5mm×3.0mm×0.07mm。
- 谢媛媛贾玉伟方家兴曾志周鑫赵子润
- 关键词：T/RX波段GAAS微波单片集成电路多功能芯片
