王志勇
- 作品数：12 被引量：81H指数：5
- 供职机构：中南大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家民口配套科研项目中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：金属学及工艺一般工业技术自动化与计算机技术冶金工程更多>>
- 聚丙烯酰胺凝胶法制备氧化锌铝(AZO)粉体被引量：3
- 2013年
- 采用聚丙烯酰胺凝胶法制备Al掺杂ZnO(AZO)前驱体,在500和600℃下煅烧获得AZO粉体。采用DSC、XRD、SEM、UV-vis吸收和荧光发光(PL)对粉体进行表征,研究Al掺杂浓度对AZO粉体光学性能的影响。结果表明:在600℃煅烧温度下,Al3+的固溶度可高达8%(摩尔分数),掺杂后的AZO粉体晶粒尺寸明显减小;随着掺杂浓度提高,AZO粉体的紫外吸收波长先"蓝移"而后"红移",当Al掺杂浓度为5.5%(摩尔分数)时,紫外吸收波长最短,为367 nm(3.38 eV);未掺杂与Al掺杂的ZnO粉体均具有406 nm的近边紫外峰和430 nm的蓝光发射峰。
- 王志勇彭超群王日初王小锋刘兵
- 关键词：光致发光蓝光发射
- SiC陶瓷基片的烧结工艺与SiC_p/Al复合材料的制备方法
- 2012年
- 概述了电子封装基片材料的基本性能要求;讨论了SiC陶瓷基片常用的4种烧结工艺,即常压烧结、热压烧结、反应烧结和放电等离子烧结;介绍了SiCp/Al复合材料的制备方法,即搅拌铸造法、无压渗透法、喷射沉积法、粉末冶金法;据此进一步提出了SiC陶瓷基片材料的发展方向。
- 王志勇彭超群王日初王小锋李婷婷刘兵
- 关键词：SICP/AL复合材料
- Al_2O_3陶瓷基片电子封装材料研究进展被引量：14
- 2011年
- 总结微电子封装技术对封装基片材料性能的要求,介绍Al2O3的多晶转变和典型性能,讨论超细Al2O3粉体的3种制备方法:固相法、气相法和液相法;分析Al2O3陶瓷常用烧结助剂的基本作用和Al2O3陶瓷常用的6种烧结方法:常压烧结法、热压烧结法、热等静压烧结法、微波加热烧结法、微波等离子烧结法和放电等离子烧结法;指出Al2O3陶瓷基片的发展方向。
- 刘兵彭超群王日初王小锋李婷婷王志勇
- 关键词：电子封装材料AL2O3陶瓷超细粉体烧结助剂
- Fe-Al、Ti-Al和Ni-Al系金属间化合物多孔材料的研究进展被引量：30
- 2011年
- 总结Fe-Al、Ti-Al、Ni-Al 3大系金属间化合物的物相结构和基本特性,论述Fe-Al、Ti-Al和Ni-Al 3大类金属间化合物多孔材料的制备方法、孔结构表征以及耐腐蚀性能,并指出孔结构参数的可控性研究、复合材料的制备和焊接性能的提高是金属间化合物多孔材料未来的研究重点。
- 李婷婷彭超群王日初王小锋刘兵王志勇
- 关键词：FE-AL合金TI-AL合金NI-AL合金多孔材料
- 纳米BeO粉体的二步烧结被引量：1
- 2014年
- 为拟制烧结后期的晶粒生长,采用二步烧结方法研究纳米BeO粉体的烧结。采用2个常规烧结实验确定每步烧结的温度范围之后,研究纳米BeO粉体的二步烧结工艺,通过扫描电子显微镜和图像分析软件研究烧结过程中微观组织结构的变化,采用激光导热仪测试材料的热导率,并分析纳米BeO粉体的二步烧结机制。研究结果表明:第1步的烧结温度(t1)范围为1 450℃≤t1≤1 500℃;第2步的烧结温度(t2)范围为1 300℃≤t2≤1 400℃;较合适的二步烧结工艺为:(1 450℃,1 min)+(1 400℃,25 h),该工艺下所得陶瓷的微观组织结构较均匀,致密度和热导率均较高,分别为96.6%和237 W/(m?K);在纳米BeO粉体的二步烧结过程中,晶界扩散和体扩散等利于致密化的机制起主要作用。
- 王小锋王日初彭超群王志勇
- 关键词：热导率
- 氧化锌铝的典型性能与研究进展被引量：5
- 2012年
- 氧化锌铝是一种具有广阔应用前景和发展潜力的复合氧化物半导体材料。介绍ZAO材料的透明导电性、光致发光和红外发射等典型性能;讨论溶胶-凝胶法、水热法、沸水回流法和共沉淀法等粉体制备方法;阐述ZAO靶材的制备方法;分析溶胶-凝胶、金属化学气相沉积、磁控溅射、脉冲激光沉积和热喷雾分解等ZAO薄膜的制备技术;最后指出ZAO的发展方向。
- 王志勇彭超群王日初王小锋刘兵
- 关键词：粉体靶材
- Al_2O_3悬浮液分散稳定性的影响因素被引量：5
- 2012年
- 研究分散剂聚丙烯酸铵(NH4PAA)加入量、pH值、固相体积分数、球磨时间和离子强度对Al2O3陶瓷悬浮液黏度和沉降高度的影响。结果表明:分散剂加入量、pH值、固相体积分数、球磨时间和离子强度均对悬浮液的分散稳定性有显著影响。当分散剂加入量为0.8%(质量分数)、pH为9.5、固相体积分数为50%、球磨时间为24 h时、离子强度为0时,悬浮液的黏度和沉降高度达到最小值,分散稳定性达到最佳。
- 刘兵彭超群王日初王小锋王志勇李婷婷
- 关键词：AL2O3悬浮液黏度分散剂PH值
- 煅烧工艺对氧化锌铝(AZO)粉体光学性能的影响被引量：4
- 2013年
- 采用聚丙烯酰胺凝胶法制备高浓度Al掺杂ZnO(AZO)前驱体(x(Al)=5.5mol%、6.5mol%),研究煅烧工艺对AZO粉体光学性能的影响.结果表明:随着煅烧温度升高,Al在ZnO中的固溶度降低。当煅烧温度为750℃时,生成ZnAl2O4相。提高煅烧温度,粉体的紫外吸收峰从366 nm红移至373 nm;延长煅烧时间,紫外吸收峰发生蓝移,吸收强度明显增大。室温下AZO粉体光致发光(PL)光谱主要由354 nm的紫外发射峰、406 nm的近边紫外发射峰和430 nm的蓝光发射峰组成。
- 王志勇彭超群王日初王小锋刘兵
- 关键词：AZOXPSUV-VIS吸收性能光致发光
- 烧结助剂Y_2O_3和Pr_6O_(11)对Al_2O_3陶瓷相对密度和热导率的影响被引量：7
- 2012年
- 采用高分子网络法制备混合纳米粉体,研究稀土氧化物Y2O3和Pr6O11加入量对Al2O3陶瓷相对密度和热导率的影响。采用阿基米德方法测定样品的体积密度,利用激光脉冲法测量试样的热扩散率并计算得出热导率。结果表明：两种添加剂都可以降低Al2O3陶瓷的烧结温度,提高Al2O3陶瓷的热导率,其中Y2O3的促进作用较强;当保温时间相同、烧结温度为1 500~1 650℃时,Al2O3陶瓷的相对密度和热导率都随烧结温度的升高而增大;当烧结温度相同、保温时间为30~120 min时,Al2O3陶瓷的相对密度和热导率也随保温时间的延长而增大。
- 刘兵彭超群王日初王小锋李婷婷王志勇
- 关键词：AL2O3陶瓷Y2O3保温时间相对密度热导率
- 氧化锌铝陶瓷(AZO)靶材的制备及其电阻性能的测定被引量：5
- 2013年
- 采用二步烧结技术制备AZO陶瓷靶材,并采用XRD、SEM和EDS对AZO陶瓷靶材进行表征,研究AZO靶材的电阻性能。结果表明:当Al的掺杂量w(Al2O3)为0.5%时,AZO靶材出现第二相ZnAl2O4;随Al掺杂浓度增加,ZnAl2O4的衍射峰强度逐渐增强,ZnO晶粒尺寸逐渐减小;随着第二步烧结温度θnd的升高,AZO靶材的晶粒尺寸逐渐增大,相对密度也随之增加。靶材的电阻率随θnd增加而降低,且随掺杂浓度升高而增加;在第一步烧结温度θst=1 400℃,升温速率vst=10℃/min,第二步烧结温度θnd=1 350℃和t nd=16 h烧结条件下,AZO陶瓷靶材(w(Al2O3)=1.5%)的电阻率仅为2.9×10-2Ω·cm。
- 王志勇彭超群王日初王小锋刘兵
- 关键词：相对密度电阻率
