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陈欣

作品数:2 被引量:26H指数:2
供职机构:武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇ZNO
  • 2篇ZNO:AL
  • 1篇导电
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电学性能
  • 1篇透明导电
  • 1篇透明导电薄膜
  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇靶制备
  • 1篇AZO
  • 1篇沉积温度

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇官文杰
  • 2篇陈欣
  • 2篇方斌
  • 1篇方国家
  • 1篇赵兴中
  • 1篇郭明森
  • 1篇吴天书
  • 1篇陈志强

传媒

  • 1篇武汉理工大学...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
直流溅射ZnO导电靶制备ZnO:Al透明导电薄膜被引量:5
2007年
利用直流(DC)磁控溅射导电率良好的ZnO:Al陶瓷制备ZnO:Al透明导电薄膜。在不同的温度下对靶的溅射得到的薄膜进行X-ray、AFM、霍尔系数的测量等的分析,研究了溅射温度对膜的薄膜结构电学和光学性能的影响。制得的薄膜均为(002)面的单一择优取向,且当温度为300℃时,有最低的电阻率为6.33×10-4Ωcm。薄膜在可见光部分的透射率都在80%以上。
方斌官文杰陈欣陈志强
关键词:电学性能
沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响被引量:21
2005年
利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240~310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上.
陈欣方斌官文杰吴天书郭明森方国家赵兴中
关键词:沉积温度退火
共1页<1>
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