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吴天书

作品数：2 被引量：21H指数：1
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇退火
  • 1篇退火处理
  • 1篇脉冲激光
  • 1篇脉冲激光沉积
  • 1篇PLD
  • 1篇PLD法
  • 1篇SI衬底
  • 1篇SR
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO:AL
  • 1篇AZO
  • 1篇BST
  • 1篇COO
  • 1篇沉积温度
  • 1篇衬底

机构

  • 2篇武汉大学

作者

  • 2篇吴天书
  • 1篇方国家
  • 1篇官文杰
  • 1篇赵兴中
  • 1篇陈欣
  • 1篇郭明森
  • 1篇方斌

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
PLD法在Si衬底上取向生长Ba/_（0.5）Sr/_（0.5）TiO/_3//La/_（0.5）Sr/_（0.5）CoO/_3薄膜的研究
由于具有优良的铁电和介电性质,Ba/_/(1-x/)Sr/_xTiO/_3/(BST/)薄膜在微波移相器,动态随机存贮器,热释电红外探测器等方面有着很好的应用前景。 本文使用固相反应烧结法制...
吴天书
关键词：BST
文献传递网络资源链接
沉积温度和退火处理对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响被引量：21
2005年
利用脉冲激光沉积法制备了ZnO∶Al透明导电薄膜.通过对膜的霍尔系数测量及 AFM、XRD分析,详细研究了温度和退火处理对薄膜结构、表面形貌及光电性能的影响.结果表明沉积温度影响膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.制备的薄膜均具有ZnO(002)择优取向的多晶膜.在240～310℃沉积的薄膜具有最低的电阻率,其值为6.1×10-4Ω·cm,在240℃沉积的薄膜在氩气中退火薄膜的电阻率下降为4. 7×10-4Ω·cm.所有薄膜在可见光区的平均透过率均达到了90%以上.
陈欣方斌官文杰吴天书郭明森方国家赵兴中
关键词：沉积温度退火
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