您的位置: 专家智库 > >

凌小涵

作品数:13 被引量:7H指数:1
供职机构:北京工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金福建省泉州市科技计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 12篇激光
  • 12篇激光器
  • 12篇半导体
  • 12篇半导体激光
  • 12篇半导体激光器
  • 5篇腔面
  • 3篇量子阱结构
  • 3篇功率半导体
  • 3篇光斑
  • 3篇光束
  • 3篇大功率半导体
  • 3篇大功率半导体...
  • 2篇电极
  • 2篇电极制备
  • 2篇电子束蒸发
  • 2篇镀膜
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇光腔
  • 2篇焊料
  • 2篇合金

机构

  • 13篇北京工业大学
  • 2篇华侨大学
  • 1篇中国科学院长...
  • 1篇邓迪大学
  • 1篇集成光电子学...

作者

  • 13篇凌小涵
  • 12篇崔碧峰
  • 4篇张松
  • 4篇王晓玲
  • 4篇张松
  • 4篇刘梦涵
  • 4篇何新
  • 4篇王晓玲
  • 3篇苏道军
  • 2篇李佳莼
  • 2篇计伟
  • 1篇陈京湘
  • 1篇马钰慧
  • 1篇王加贤
  • 1篇邱伟彬
  • 1篇佟存柱
  • 1篇丁颖
  • 1篇孔真真
  • 1篇李莎
  • 1篇王勋

传媒

  • 2篇激光与红外
  • 1篇华侨大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器
一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时,半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属...
崔碧峰刘梦涵凌小涵何新
一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器
本发明提出了一种具有非对称腔面非注入区窗口结构的半导体激光器,从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、上限制层、欧姆接触层;腐蚀除去欧姆接触层和上限制层的四边,在欧姆接触层的中心位置形...
崔碧峰张松王晓玲凌小涵
文献传递
一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法
本发明涉及一种具有新型近腔面电流非注入区结构的半导体激光器及制造方法,该激光器包括衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、具有量子阱结构的有源层、上波导层、第二上限制层、刻蚀停止层、第一上限制层、欧姆接触层、电绝缘介质层、正面...
崔碧峰王晓玲张松凌小涵
980nm大功率半导体激光器增透膜的优化设计与制备
2014年
对于大功率半导体激光器,根据其最佳工作点随着和端面反射率相关的阈值电流等参数的变化规律,选择适合的腔面膜反射率系数进行设计。设计并制备三种腔面膜膜系,它们的增透膜在980 nm处反射率系数分别为8%、5%与2%,高反膜反射率系数均为90%。器件封装后分别测试其发光性能,数据显示与未镀膜的激光器相比,镀膜后的激光器在输入15 A电流时,它们的输出功率提高了35.18%~37.35%;它们在其最佳工作点处转换效率提高了25.33%~27.44%;此外高反膜反射率一定时,它们达到最佳工作点所需的电流值随其增透膜反射率系数减小而增大,结果表明优化选取合适的半导体激光器腔面膜膜系进行镀制,可以使半导体激光器在最佳工作点具有更大的输入电流,从而更适合在大功率工作。
王晓玲崔碧峰苏道军张松李佳莼凌小涵王勋
关键词:增透膜电子束蒸发反射率
布拉格反射波导双光束边发射半导体激光器
2015年
报道1种在垂直远场方向上产生2个极窄的稳定对称光斑多量子阱边发射半导体激光器,在其有源区两侧设计布拉格反射波导结构.制备100μm条宽的边发射激光器,在垂直方向±33.4°附近实现2个稳定的7.2°对称的近圆形光斑,对器件镀膜后进行测试,在连续和脉冲工作条件下分别得到1.40,2.26 W的输出,器件的特征温度可达到91K.
苏道军计伟崔碧峰邱伟彬佟存柱张松王晓玲凌小涵王加贤
关键词:半导体激光器多量子阱
980nm大光腔单发光条大功率LD失效分析被引量:5
2015年
采用大光腔结构、真空解理镀膜、腔面非注入区技术制备了980 nm单发光条大功率半导体激光器,其连续输出功率达到12 W。封装后测试,对于同一批量的180只器件进行可靠性测试,经过64 h电老化测试分析,功率基本未发生变化72只,综合成品率达到40%。对失效器件进行综合分析可得,此次试验中,镀膜后分离时产生的膜撕裂是激光器失效的主要原因。
凌小涵崔碧峰张松王晓玲刘梦涵何新
关键词:激光器大功率半导体激光器COD镀膜
离子辅助沉积电子束蒸发Si基SiO_2薄膜的研究被引量:1
2013年
研究了离子辅助沉积(IBAD)电子束蒸发和传统电子束蒸发两种镀膜方式在Si(100)面基底所镀SiO2光学薄膜的特性。特别是在离子辅助沉积下,分析了不同工艺条件改变对SiO2光学薄膜的光学特性的影响。结果表明,无论表面形貌、折射率均匀性,还是湿度稳定性,离子辅助电子束蒸发都优于传统电子束蒸发的SiO2光学薄膜,在离子辅助沉积条件下,薄膜折射率在40~160℃范围随衬底温度的升高而提高,镀膜时真空度为1.5×10-3 Pa、沉积速率为5nm/s、离子源驱动电压为285.4V、离子源辅助气体分压比PAr∶PO=1∶1时,SiO2光学薄膜的光学特性最好。
陈京湘崔碧峰丁颖计伟王晓玲张松凌小涵李佳莼马钰慧苏道军
关键词:光学薄膜电子束蒸发折射率
一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法
本发明涉及一种双波长输出光混频产生太赫兹波的半导体激光器及制造方法。该半导体激光器包括衬底、下限制层Ⅰ、下波导层Ⅰ、有源层Ⅰ、上波导层Ⅰ、上限制层Ⅰ、再生机构、下限制层Ⅱ、下波导层Ⅱ、有源层Ⅱ、上波导层Ⅱ、电流阻挡层、上...
崔碧峰凌小涵张松王晓玲
文献传递
一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器
一种P型金属电极制备焊料的半导体激光器属于半导体光电子技术领域。本发明的提出是为了解决倒装焊时,半导体激光器管芯与热沉之间由于共熔性差导致的焊层内部存在空隙、焊接不牢等问题。本发明涉及的半导体激光器关键结构在于在P型金属...
崔碧峰刘梦涵凌小涵何新
文献传递
大功率半导体激光器的光束特性研究
半导体激光器在实际应用中有着重要的意义,它的体积小、功耗低、寿命长、电光转换效率高、波段覆盖范围广,并可采用简单的注入电流的方式使激光器激射。同时它的工作电压和电流与集成电路兼容,因此可用于单片集成,还可用高达GHz的频...
凌小涵
关键词:大功率半导体激光器
共2页<12>
聚类工具0