耿广州
- 作品数：5 被引量：5H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 溅射气压对ZnO薄膜的影响被引量：3
- 2011年
- 采用射频磁控溅射的方法,通过改变溅射气压,在玻璃衬底上沉积出具有c轴择优取向的ZnO薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对不同溅射气压下ZnO薄膜的结构、断面和表面形貌进行研究分析。结果表明,随着溅射气压的降低,ZnO薄膜的(002)取向增强,薄膜的厚度增加,沉积速率加快,氧化锌薄膜的沉积速率从4 nm/min升高到21 nm/min。在溅射压强为2.5 Pa时制备的ZnO薄膜粗糙度最小,大小为5.45 nm。
- 孙海燕耿广州黄家寅单福凯LEE Won-jae
- 关键词：氧化锌磁控溅射气压
- 溅射功率对磁控共溅射法制备的InTiZnO薄膜的影响被引量：1
- 2013年
- 采用射频磁控共溅射法,以In2O3和Zn2TiO4陶瓷靶为共溅射靶材,在玻璃衬底上制备了InTiZnO薄膜。在薄膜制备过程中,固定In2O3靶材的溅射功率,研究了Zn2TiO4靶材溅射功率对薄膜的沉积速率、结晶质量、表面形貌以及薄膜透过率的影响。发现随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜的沉积速率增加。随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大,薄膜中In2O3的峰逐渐减小。当溅射功率为90W时,In2O3峰消失,薄膜结构转变为非晶结构。薄膜的晶粒尺寸随着溅射功率的增大而减小,粗糙度随溅射功率的增大先增大后减小。InTiZnO薄膜在可见光区的透过率受溅射功率的影响变化不大,可见光范围内的透过率大于85%;在320nm～410nm波长附近薄膜透过率急剧下降,呈现了明显的紫外吸收边;薄膜的光学禁带宽度随着Zn2TiO4靶材的溅射功率的增大而减小。
- 张倩单福凯耿广州刘国侠Shin B.C.Lee W.J.Kim I.S.
- 关键词：透过率功率
- 温度对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响被引量：1
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法,以NiO靶材为溅射靶材,在不同温度玻璃衬底上制备了NiO薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、分光光度计以及四探针测试系统研究了温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。结果分析表明所有NiO薄膜都具有(111)方向的择优取向,并且晶格常数随温度升高而减小。NiO薄膜的晶粒尺寸和粗糙度也随着温度的升高而增大。由于NiO薄膜中镍空位和间隙氧的减少,薄膜的透过率、禁带宽度以及电阻率都随温度的升高而增大。
- 耿广州单福凯张倩刘国侠Shin B.C.Lee W.J.Kim I.S.
- 关键词：NIO磁控溅射
- 金属氧化物半导体相关器件的制备与表征
- 自然界中金属氧化物的种类繁多，并有具有各种各样的用途。NiO就是一种典型的直接带隙宽禁带P型半导体材料，禁带宽度为3.6到4.0 eV。它的半导体特性主要是由于NiO中含有大量的镍空位和间隙氧引起的。NiO薄膜拥有较好的...
- 耿广州
- 关键词：金属氧化物薄膜半导体器件薄膜晶体管性能表征
- 热处理温度和气氛对BiFeO_3陶瓷物相的影响
- 2010年
- 用溶胶凝胶法制备了BiFeO3前驱体，经不同温度（500～800℃）、不同气氛（O2和N2）煅烧得到了BiFeO3粉体，并在O2或N2气氛条件下烧结制备了BiFeO3陶瓷。用X射线衍射对比研究了不同气氛条件下BiFeO3陶瓷的物相组成。结果显示，在O2或N2中700℃煅烧的BiFeO3粉体在N2中800℃烧结可以得到纯相的BiFeO3陶瓷。实验表明BiFeO3粉体的煅烧温度及烧结过程中采用的气氛对BiFeO3陶瓷的物相组成有重要影响。
- 周洪进孙海燕耿广州刘国侠单福凯
- 关键词：BIFEO3溶胶凝胶法
