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刘国侠

作品数：51 被引量：3H指数：1
供职机构：青岛大学更多>>
发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 40篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 39篇晶体管
  • 22篇薄膜晶体
  • 22篇薄膜晶体管
  • 19篇半导体
  • 12篇退火
  • 12篇场效应
  • 12篇场效应晶体管
  • 11篇氧化铟
  • 10篇低阻
  • 9篇氧化物
  • 9篇热退火
  • 9篇纳米
  • 9篇纳米纤维
  • 8篇电纺
  • 8篇溅射
  • 7篇电纺丝
  • 7篇介质
  • 7篇介质薄膜
  • 7篇金属
  • 7篇静电纺

机构

  • 51篇青岛大学

作者

  • 51篇刘国侠
  • 47篇单福凯
  • 29篇刘奥
  • 20篇孟优
  • 7篇谭惠月
  • 6篇朱慧慧
  • 4篇朱春丹
  • 4篇王珍
  • 3篇张倩
  • 3篇耿广州
  • 2篇刘灵芝
  • 2篇孙彬
  • 2篇陈帅
  • 2篇刘帅
  • 2篇龙云泽
  • 2篇张红娣
  • 1篇李辉
  • 1篇栾奇
  • 1篇王超
  • 1篇周洪进

传媒

  • 5篇青岛大学学报...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 2篇2023
  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 4篇2019
  • 10篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
  • 5篇2015
  • 5篇2014
  • 7篇2013
  • 1篇2010
共 51 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
单福凯刘奥刘国侠孟优谭惠月
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低温溶液法In2O3薄膜晶体管的制备
目前,低温溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管是液晶显示技术发展的趋势,利用In2O3前驱体溶液成功制备了高性能薄膜晶体管(TFT).In2O3沟道层的退火温度为300℃,符合低温柔性器件的要求.制备的TFT器件饱和迁移率为3...
孟优刘奥刘国侠单福凯
关键词：薄膜晶体管氧化铟性能参数
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一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li<Sub>2</Sub>O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In<S...
刘国侠单福凯刘奥朱春丹
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一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种低温环保纳米纤维场效应晶体管的制备方法，首先制备二氧化硅绝缘层，配制前驱体溶液，静电纺丝法制备纳米材料，制得一维金属盐/聚合物复合纳米纤维；一维金属盐/聚合物复合纳米纤维放置在高压汞灯下，用高压汞灯产生的...
单福凯王超刘国侠
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一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水...
单福凯刘国侠朱春丹刘奥孟优
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一种基于超薄氧化镁高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化镁高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用溶胶-凝胶法、UV光处理和热退火相结合的方式制备超薄MgO栅介电层和高透过率、化学稳定性良...
单福凯刘国侠姜桂霞刘奥孟优
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一种金属氧化物薄膜的制备方法
本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种金属氧化物薄膜的制备方法，尤其是一种金属氧化物高介电常数(简称高K)薄膜和金属氧化物半导体薄膜的制备方法，采用纳米尺寸热物理效应和静电纺丝法相结合的工艺，用于金属氧化物高K介电薄...
单福凯孟优郭子栋刘奥刘国侠
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一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法
本发明属于纳米纤维材料制备技术领域，涉及一种中空结构氧化铟纳米纤维的制备方法，包括制备聚偏氟乙烯（PVDF）纳米纤维、包裹氧化铟和高温烧结去除PVDF三个步骤：配制PVDF溶液，用静电纺丝装置按常规操作方法进行静电纺丝制...
龙云泽陈帅单福凯刘灵芝刘帅刘国侠张红娣孙彬
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一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
单福凯刘奥刘国侠孟优谭惠月
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一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，先生长GTO多层复合氧化物薄膜得到复合薄膜样品；再将复合薄膜样品退火完成GTO高k介质介电层的制备，得到含有GTO介电层的薄...
单福凯刘国侠刘奥谭惠月
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