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刘奥

作品数：31 被引量：1H指数：1
供职机构：青岛大学更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 26篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 25篇晶体管
  • 18篇半导体
  • 18篇薄膜晶体
  • 18篇薄膜晶体管
  • 12篇退火
  • 9篇热退火
  • 8篇低阻
  • 7篇氧化物
  • 6篇氧化铟
  • 5篇导体
  • 5篇氧化物薄膜
  • 5篇沟道
  • 5篇半导体薄膜
  • 4篇溶胶
  • 4篇迁移率
  • 4篇硝酸
  • 4篇金属
  • 4篇溅射
  • 4篇硅衬底
  • 4篇衬底

机构

  • 31篇青岛大学

作者

  • 31篇刘奥
  • 29篇刘国侠
  • 29篇单福凯
  • 12篇孟优
  • 7篇谭惠月
  • 6篇朱慧慧
  • 4篇朱春丹
  • 1篇宋慧君
  • 1篇徐峰

传媒

  • 2篇青岛大学学报...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 8篇2016
  • 4篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
共 31 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
单福凯刘奥刘国侠孟优谭惠月
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低温溶液法In2O3薄膜晶体管的制备
目前,低温溶液法制备金属氧化物薄膜晶体管是液晶显示技术发展的趋势,利用In2O3前驱体溶液成功制备了高性能薄膜晶体管(TFT).In2O3沟道层的退火温度为300℃,符合低温柔性器件的要求.制备的TFT器件饱和迁移率为3...
孟优刘奥刘国侠单福凯
关键词：薄膜晶体管氧化铟性能参数
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一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li<Sub>2</Sub>O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In<S...
刘国侠单福凯刘奥朱春丹
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一种多元醇还原技术制备p型氧化物薄膜材料的方法
本发明公开了一种多元醇还原技术制备p型氧化物薄膜材料的方法，首先制备CuO和NiO前驱体溶液；清洗带有SiO<Sub>2</Sub>薄膜层的衬底采用常规的旋涂技术旋涂前驱体溶液，经过旋涂、烘焙、固化、退火得到CuO和Ni...
单福凯刘国侠刘奥
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一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体材料薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种多层复合氧化物高k介质薄膜晶体管的制备方法，先生长GTO多层复合氧化物薄膜得到复合薄膜样品；再将复合薄膜样品退火完成GTO高k介质介电层的制备，得到含有GTO介电层的薄...
单福凯刘国侠刘奥谭惠月
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一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化锂高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，采用热退火的方式制备超薄Li<Sub>2</Sub>O栅介电层和高透过率、化学稳定性良好的In<S...
刘国侠单福凯刘奥朱春丹
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一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为衬底和栅电极，采用溶胶-凝胶技术和“光退火”相结合的方式制备超薄ZrO<Sub>x</Sub>栅介电层，x的取值为1-2；在室温...
单福凯刘奥刘国侠谭惠月孟优
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一种基于氧化钪高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于氧化钪高k介电层薄膜晶体管的制备方法；先将硝酸钪溶于去离子水中并搅拌形成前驱体溶液后旋凃于清洗过的低阻硅衬底表面，旋涂厚度5-10nm，再将旋涂产生的薄膜烘焙和退火得到...
单福凯刘奥刘国侠
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一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域,涉及一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为衬底和栅电极，采用溶胶-凝胶技术和“光退火”相结合的方式制备超薄ZrO<Sub>x</Sub>栅介电层，x的取值为1-2；在室温...
单福凯刘奥刘国侠谭惠月孟优
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一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水...
单福凯刘国侠朱春丹刘奥孟优
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