您的位置： 专家智库 > >

孟优

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：青岛大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 19篇晶体管
  • 11篇半导体
  • 10篇场效应
  • 10篇场效应晶体管
  • 9篇薄膜晶体
  • 9篇薄膜晶体管
  • 8篇纳米
  • 8篇纳米纤维
  • 7篇低阻
  • 6篇电纺
  • 6篇电纺丝
  • 6篇氧化铟
  • 6篇静电纺
  • 6篇静电纺丝
  • 6篇纺丝
  • 5篇介质
  • 5篇介质薄膜
  • 4篇退火
  • 4篇热退火
  • 3篇导体

机构

  • 22篇青岛大学

作者

  • 22篇孟优
  • 21篇单福凯
  • 20篇刘国侠
  • 12篇刘奥
  • 4篇谭惠月
  • 2篇朱慧慧
  • 2篇朱春丹
  • 2篇王珍
  • 1篇王凤云

年份

  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 7篇2018
  • 4篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2014
共 22 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域,涉及一种双沟道层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为衬底和栅电极，采用溶胶-凝胶技术和“光退火”相结合的方式制备超薄ZrO<Sub>x</Sub>栅介电层，x的取值为1-2；在室温...
单福凯刘奥刘国侠谭惠月孟优
文献传递
一种可控的热焊接法制备高性能场效应晶体管的方法
本发明公开了一种可控的热焊接法制备高性能场效应晶体管的方法，采用溶液法制备ZrO<Sub>2</Sub>高k介质薄膜；采用静电纺丝技术制备纳米纤维网络，通过高温煅烧，利用热蒸发沉积源漏电极。本发明的有益效果是可以在大面积...
单福凯崔友朝孟优刘国侠
文献传递
一种UV光前处理制备氧化铟/氧化铝纳米纤维场效应晶体管的方法
本发明属于静电纺丝纳米纤维场效应晶体管制备技术领域，涉及一种UV光前处理制备氧化铟/氧化铝纳米纤维场效应晶体管的方法；其工艺步骤主要包括：制备Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>高k介质薄膜、制备纳米纤...
单福凯孟优刘国侠
文献传递
一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
单福凯刘奥刘国侠孟优谭惠月
文献传递
一步光刻法制备金属氧化物半导体及介电薄膜的方法
本发明公开了一步光刻法制备金属氧化物半导体及介电薄膜的方法，将配制的溶液通过溶胶凝胶技术旋涂制备凝胶薄膜；将制备好的凝胶薄膜置于掩膜版之下，通过紫外光照射,其中氧化物半导体前躯体凝胶薄膜室温光照，氧化物介电前躯体凝胶薄膜...
单福凯郭子栋刘国侠孟优崔友朝
文献传递
一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种高k介电层水性氧化铟薄膜晶体管的制备方法，先将乙酰丙酮锆溶于二甲基甲酰胺中，同时加入与乙酰丙酮锆等摩尔量的乙醇胺作为稳定剂形成前驱体溶液；再在清洗后的低阻硅衬底上旋涂前驱体...
单福凯刘奥刘国侠孟优谭惠月
文献传递
一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于水性超薄ZrO<Sub>2</Sub>高k介电层的薄膜晶体管制备方法，结合n型氧化铟和p型氧化镍半导体沟道层制备全水性薄膜晶体管，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用水...
单福凯刘国侠朱春丹刘奥孟优
文献传递
一种基于毛细凝聚现象的纳米纤维焊接方法
本发明公开了一种基于毛细凝聚现象的纳米纤维焊接方法，首先制备ZrO<Sub>2</Sub>高k介质薄膜；再制备纳米纤维；对毛细焊接处理；进行高温煅烧；最后将离子束沉积源漏电极，得到纳米纤维场效应晶体管。本发明的有益效果是...
单福凯孟优崔友朝刘国侠
一种基于超薄氧化镁高k介电层薄膜晶体管的制备方法
本发明属于半导体薄膜晶体管制备技术领域，涉及一种基于超薄氧化镁高k介电层薄膜晶体管的制备方法，选用低阻硅作为基底和栅电极，分别采用溶胶-凝胶法、UV光处理和热退火相结合的方式制备超薄MgO栅介电层和高透过率、化学稳定性良...
单福凯刘国侠姜桂霞刘奥孟优
文献传递
一种金属氧化物薄膜的制备方法
本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种金属氧化物薄膜的制备方法，尤其是一种金属氧化物高介电常数(简称高K)薄膜和金属氧化物半导体薄膜的制备方法，采用纳米尺寸热物理效应和静电纺丝法相结合的工艺，用于金属氧化物高K介电薄...
单福凯孟优郭子栋刘奥刘国侠
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0