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林杰: 作品数：24 被引量：10H指数：3; 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金博士科研启动基金更多>>; 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>

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一种非规整微腔胶体量子点电致发光器件及其制备方法: 一种非规整微腔胶体量子点电致发光器件及其制备方法属于量子点发光技术领域，目的在于解决现有技术存在的传统MQLED增强量子点电致发光面临的光学和电学性能难以兼顾的问题。本发明包括衬底、底部反射镜、阳极修饰层、空穴传输层、发...; 林杰郭晓阳刘星元; 文献传递

一种使器件在手套箱与真空室之间转移的传递装置: 一种使器件在手套箱与真空室之间转移的传递装置，属于真空镀膜技术领域，涉及一种真空镀膜领域的真空辅助部件，目的在于解决现有技术中过渡室体积庞大而导致的抽气时间较长的问题，并且避免了资源的浪费。包括转移机构及托板；所述托板的...; 刘星元林杰李会斌

基于AZO的高效率磷光有机电致发光被引量：3: 2011年; 采用离子辅助的电子束双源共蒸技术制备了AZO薄膜,其载流子浓度和迁移率分别为4.39×1020 cm-3和15 cm2.V-1.s-1,在可见光范围内的平均透过率达到85.5%,功函数为5.05 eV。采用AZO作为阳极制备的磷光OLED得到最大亮度为192 400 cd/m2,最大电流效率为83.5 cd/A。结果表明,AZO作为OLED的阳极可获得优异的电致发光性能。; 林杰范翊刘星元; 关键词：透明导电薄膜 AZO 磷光有机电致发光

全介质镜微腔的结构设计与发光特性的模拟被引量：2: 2013年; 设计了4种不同介质镜结构的全介质镜λ微腔,并模拟研究了腔内有机发光层的发光特性。结果表明,DBR结构的不同会导致腔镜反射相移的变化,从而最终改变了器件的透射光谱、腔内驻波电场分布、PL光谱峰值位置和强度等参数。只有合理的器件结构设计才能使腔内的发光得到有效的增强。对称偶数层DBR构成的λ腔可以使谐振峰位置的PL光谱峰值强度增加59倍。; 林杰曲松楠褚明辉刘星元; 关键词：微腔发光

氟化钇电子注入层对OLED器件性能的影响: 2015年; 利用氟化钇(YF3)代替Li F作为电子注入层材料,以金属铝作为阴极,制备了有机电致发光器件(OLED)。实验结果表明:适当厚度的YF3电子注入缓冲层可以增强阴极的电子注入能力,使得电子和空穴的浓度更加平衡,有效地提高器件的电致发光性能。其中,1.2 nm厚YF3的器件具有最小的起亮电压2.6 V,最高的电流效率8.52 cd·A-1,最大的亮度36 530 cd·m-2。最大亮度和电流效率与Li F参考样品相比,分别提高了39%和53%。; 张镭郑宣明林杰刘星元; 关键词：有机电致发光器件电子注入层

芳香烃中位取代氟硼二吡咯的薄膜放大自发辐射稳定性研究: 2017年; 对苯基、萘基和蒽基在中位取代的氟硼二吡咯(BODIPY)衍生物薄膜的放大自发辐射(ASE)性能进行了研究,探讨了影响材料ASE稳定性的因素。首先,将3种BODIPY衍生物材料PhBOD、NaBOD和EnBOD掺入聚苯乙烯经溶液旋涂法制备成薄膜,接下来测试了吸收光谱和荧光光谱,然后在光泵浦条件下测量了3种样品的ASE性能,获得了材料的ASE阈值。进一步通过长时间泵浦、环境中长时间放置和高温环境下泵浦等方法研究了材料的光稳定性、ASE环境稳定性和热稳定性。最后使用Gaussian 09计算了分子基态性质。实验结果表明,PhBOD、NaBOD和EnBOD薄膜的初始阈值分别为12.4,4.55,3.4 k W/cm^2,其中PhBOD有较强的ASE稳定性。ASE稳定性差异可能与分子结构的共轭程度和化学稳定性相关。分子中各个基团的共轭程度较大、Mulliken电荷分布对称性较好的材料具有较好的ASE稳定性。; 吕晨曦张镭杨杨张立功林杰刘星元; 关键词：放大自发辐射

一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列: 本申请提供一种分布反馈激光器及其制作方法、分布反馈激光器阵列，分布反馈激光器为增益耦合分布反馈激光器，其至少包括：衬底、周期性半导体器件、有源层、光波导槽；由于增益耦合分布反馈激光器可以直接在布拉格波长处实现单纵模激射，...; 陈泳屹胡永生秦莉宁永强林杰刘星元王立军; 文献传递

一种使器件在手套箱与真空室之间转移的传递装置: 一种使器件在手套箱与真空室之间转移的传递装置，属于真空镀膜技术领域，涉及一种真空镀膜领域的真空辅助部件，目的在于解决现有技术中过渡室体积庞大而导致的抽气时间较长的问题，并且避免了资源的浪费。包括转移机构及托板；所述托板的...; 刘星元林杰李会斌; 文献传递

一种非对称紫外微腔有机发光二极管及其制备方法: 一种非对称紫外微腔有机发光二极管及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域，目的在于解决现有技术存在的UVOLEDs光谱色纯度较差的问题。本发明的发光二极管依次包括衬底、底部反射镜、阳极修饰层、空穴注入层、空穴传输层、发光...; 林杰郭晓阳刘星元; 文献传递

一种环形磁控溅射装置: 一种环形磁控溅射装置，属于真空镀膜领域。目的在于解决现有技术中短部磁场不被作为工作有效区的问题，提高靶材的利用率。本发明的磁控溅射装置还包括内充气管、压靶材条、靶体以及内屏蔽板；内磁钢、外磁钢、极靴组装在靶体上，靶体上面...; 刘星元林杰李会斌