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邱锋

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程上海市自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学一般工业技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 12篇液相外延
  • 8篇石墨
  • 7篇液相外延技术
  • 5篇外延层
  • 5篇外延层生长
  • 5篇衬底
  • 4篇单晶
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇母液
  • 4篇晶体
  • 4篇超纯
  • 3篇平衡态
  • 3篇半导体
  • 2篇单晶表面
  • 2篇单晶体
  • 2篇挡板
  • 2篇电池
  • 2篇电荷
  • 2篇多层膜

机构

  • 24篇中国科学院
  • 1篇云南大学

作者

  • 24篇邱锋
  • 23篇戴宁
  • 20篇邓惠勇
  • 19篇郭建华
  • 17篇吕英飞
  • 17篇胡淑红
  • 13篇孙常鸿
  • 11篇王奇伟
  • 10篇俞国林
  • 7篇孙艳
  • 6篇胡古今
  • 3篇王洋
  • 2篇张云
  • 2篇刘从峰
  • 2篇陈鑫
  • 2篇李小南
  • 1篇王茺
  • 1篇杨杰
  • 1篇王荣飞

传媒

  • 1篇红外
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 9篇2013
  • 7篇2012
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法
本发明公开了一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法，该石墨舟包括盖板、母液舟、滑板和底座。该发明的特征是盖板为分离的，每个都能很严实地盖在母液舟上而不易滑动，同时液槽的空隙部分如同一个楔形，较低位置处是一个很...
邱锋胡淑红孙常鸿王奇伟吕英飞郭建华邓惠勇戴宁
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GaSb量子点液相外延生长
2013年
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
胡淑红邱锋吕英飞孙常鸿王奇伟郭建华邓惠勇戴宁ZHUANG Qian-DongYIN MinKRIER Anthony
一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟
本专利公开了一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟，该石墨舟包括盖板、母液舟、滑板和底座。该专利的特征是盖板为分离的，每个都能很严实地盖在母液舟上而不易滑动，同时液槽的空隙部分如同一个楔形，较低位置处是一个很窄的狭缝，从...
邱锋胡淑红孙常鸿王奇伟吕英飞郭建华邓惠勇戴宁
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一种全自动控制的液相外延设备及控制方法
本发明公开了一种全自动控制的液相外延设备系统及控制方法，该系统包括进气系统、温度控制系统、电机控制系统和程序控制系统。该设备的特征是由Labview软件依据液相外延材料生长过程设置LPE程序参数，实现程控自动化系统材料外...
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一种制备InAsSb量子点的方法
本发明公开了一种制备InAsSb量子点的方法，该方法包括五个步骤，依次是：配制母液(4)、清洁衬底(3)、抽真空后通氢气并加热石墨舟、衬底(3)与母液(4)瞬间接触制备量子点、最后冷却至室温。本发明的石墨舟的母液槽(1)...
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一种pn结阵列受光结构的太阳电池
本发明公开了一种pn结阵列受光结构的太阳电池，在n型或p型半导体材料衬底上形成等间隔的周期性排列的pn结阵列，并将n型或p型层分别串联起来形成太阳电池；电池工作时太阳光直接入射至pn结阵列。本发明最大的优点是：由于采用了...
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基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法
本发明公开了一种基于液相外延技术制备高氮组分的铟砷氮薄膜的方法。该方法将熔源过程分为两次，第一次熔源将熔源材料In和InAs高温长时间充分熔融得到初始熔源，第二次熔源时加入InN粉末，通过优化InN粉末的放置方式，既增加...
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稀氮 Ⅲ-Ⅴ族InAsN和InSbN中长波红外光电材料与器件
2012年
将少量氮原子加入Ⅲ—Ⅴ族半导体后可引起能带减小,因此这种方法可以用来实现能带结构裁剪。这种新型稀氮化物显示出了奇特的物理性质,并且具有应用于新型光电器件的潜力。特别是,备受关注的稀氮InAsN和InSbN在中长波红外光电材料上具有巨大的应用价值,并将在中长波红外器件应用领域发挥重要的作用。
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多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法
本发明公开了一种多层嵌埋结构GaSb量子点材料的液相外延制备方法。本发明包括在具有(100)取向的GaAs衬底上生长一层GaSb量子点材料，然后再生长一层GaAs盖帽层将GaSb量子点层钝化保护起来,重复上述周期结构三次...
胡淑红邱锋吕英飞王洋戴宁
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一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法
本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将...
邓惠勇郭建华邱锋孙艳刘从峰俞国林戴宁
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