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郭建华

作品数：26 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：上海市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学建筑科学电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 23篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇建筑科学
  • 1篇理学

主题

  • 10篇液相外延
  • 10篇石墨
  • 7篇母液
  • 5篇外延层
  • 5篇外延层生长
  • 5篇衬底
  • 4篇单晶
  • 4篇液相外延技术
  • 4篇量子
  • 4篇量子点
  • 4篇INAS
  • 4篇超纯
  • 3篇平衡态
  • 3篇成品率
  • 2篇单晶表面
  • 2篇单晶体
  • 2篇挡板
  • 2篇电池
  • 2篇电荷
  • 2篇多层膜

机构

  • 26篇中国科学院

作者

  • 26篇戴宁
  • 26篇邓惠勇
  • 26篇郭建华
  • 19篇邱锋
  • 13篇吕英飞
  • 13篇胡淑红
  • 13篇胡古今
  • 11篇俞国林
  • 10篇王奇伟
  • 10篇孙常鸿
  • 6篇孙艳
  • 3篇张云
  • 3篇李小南
  • 2篇刘从峰
  • 2篇陈鑫
  • 2篇黄勇

传媒

  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 11篇2013
  • 6篇2012
共 26 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟
本发明公开了一种可连续生长多层膜并对每层膜均可防止母液残留的液相外延石墨舟，该石墨舟主要包括：底板、滑块、外壳、可转动衬底托件、转动轴。其特点是，滑块在底板上滑动过程中可自动控制可转动衬底托件的翻转与复位，从而能够在生长...
孙常鸿胡淑红王奇伟邓惠勇邱锋吕英飞郭建华戴宁
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一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法
本发明公开了一种消除InAs单晶表面电荷积累层的热处理方法，该方法包括快速退火与空气淬火二个步骤。首先将InAs样品放置于快速退火炉中，接着立即将温度升至退火温度，并保温一段时间，最后迅速将样品从退火炉中取出放置于烧杯中...
邓惠勇郭建华邱锋张云胡古今俞国林戴宁
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一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟
本专利公开了一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟，该石墨舟包括盖板、母液舟、滑板和底座。该专利的特征是盖板为分离的，每个都能很严实地盖在母液舟上而不易滑动，同时液槽的空隙部分如同一个楔形，较低位置处是一个很窄的狭缝，从...
邱锋胡淑红孙常鸿王奇伟吕英飞郭建华邓惠勇戴宁
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一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法
本发明公开了一种降低GaAs薄膜杂质含量的制备方法，该方法包括母液提纯和外延生长二个步聚，依次是：将原料Ga和GaAs放入石墨舟，抽真空、通氢气，调控上段炉与下段炉形成稳定的温差，开始提纯母液；提纯后，打开阀门，使得石墨...
邓惠勇郭建华刘雨从胡古今戴宁
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一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法
本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将...
邓惠勇郭建华邱锋孙艳刘从峰俞国林戴宁
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一种可连续生长多层膜的防止母液残留的液相外延石墨舟
本发明公开了一种可连续生长多层膜并对每层膜均可防止母液残留的液相外延石墨舟，该石墨舟主要包括：底板、滑块、外壳、可转动衬底托件、转动轴。其特点是，滑块在底板上滑动过程中可自动控制可转动衬底托件的翻转与复位，从而能够在生长...
孙常鸿胡淑红王奇伟邓惠勇邱锋吕英飞郭建华戴宁
一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法
本发明公开了一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法，该装置包括管式炉体、石英安瓿与石墨舟：炉体包括合成炉、缓冲炉、斜面炉与镉源炉，炉体内放置有石英安瓿，石英安瓿中放置有石墨舟。采用该装置垂直提拉碲锌镉单晶的一般步骤是：将...
邓惠勇郭建华邱锋孙艳刘从峰俞国林戴宁
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一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法
本发明公开了一种用于超薄外延层生长的液相外延石墨舟及其生长方法，该石墨舟包括盖板、母液舟、滑板和底座。该发明的特征是盖板为分离的，每个都能很严实地盖在母液舟上而不易滑动，同时液槽的空隙部分如同一个楔形，较低位置处是一个很...
邱锋胡淑红孙常鸿王奇伟吕英飞郭建华邓惠勇戴宁
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GaSb量子点液相外延生长
2013年
采用改进的快速推舟液相外延技术在GaAs衬底上成功地生长了GaSb量子点材料.通过原子力显微镜观测了不同生长参数下GaSb量子点材料的形貌(形状、尺寸、密度、尺寸分布均匀性等).分析了不同衬底、不同生长源配比、生长源与衬底的不同接触时间等生长条件参数对GaSb量子点生长的影响.研究表明在GaAs衬底上、富镓生长源配比以及较短的生长源和衬底接触时间下更易获得高质量的GaSb量子点.上述生长条件的摸索和研究对于GaSb量子点器件应用具有重要意义.
胡淑红邱锋吕英飞孙常鸿王奇伟郭建华邓惠勇戴宁ZHUANG Qian-DongYIN MinKRIER Anthony
一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置和方法
本发明公开了一种生长碲化铋纳米薄膜的热壁外延装置和方法。该装置包括真空腔体、生长炉、气氛补偿炉、衬底支架、不锈钢挡板、生长石英管和带孔石英挡板：生长炉包括补偿源炉体、生长源炉体和热壁炉体。生长炉内放入装有石英挡板的生长石...
郭建华邓惠勇邱锋孙艳李小南俞国林戴宁
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