许伟义
- 作品数：11 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路
- 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路...
- 陈后鹏张怡云王倩范茜许伟义金荣胡佳俊李喜蔡道林宋志棠
- 文献传递
- 基于市电的开关功放电路
- 本发明提供一种基于市电的开关功放电路。该开关功放电路至少包括：用于将市电整流为直流电的整流电路；用于基于所述直流电来提供所需的共模电平的共模电平提供电路；用于基于所述直流电与所述共模电平来分别提供相互对应的正向脉宽信号与...
- 金荣陈后鹏许伟义王倩宋志棠
- 文献传递
- 小容量相变存储器芯片版图设计与验证分析被引量：1
- 2015年
- 设计了基于1T1R结构的16kb相变存储器(PCRAM)芯片及其版图。芯片包括存储阵列、外围读写控制电路、纠错电路(ECC)、静电防护电路(ESD)。版图上对纳米存储单元(1R)与CMOS工艺的融合作了优化处理,给出了提高存储单元操作电流热效率的具体方法。1R位于顶层金属(TM)和二层金属(TM-1)之间,包含存储材料以及上下电极,需要在传统CMOS工艺基础上添加掩膜版。读出放大器采用全对称的差分拓扑结构,大大提升了抗干扰能力、灵敏精度以及读出速度。针对模块布局、电源分配、二级效应等问题,给出了版图解决方案。采用中芯国际130nm CMOS工艺流片,测试结果显示芯片成品率(bit yield)可达99.7%。
- 王倩陈后鹏张怡云金荣许伟义蔡道林宋志棠
- 关键词：相变存储器版图设计
- 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法
- 本发明提供一种具有初始化功能的相变存储器写擦电路，所述相变存储器写擦电路至少包括：初始化控制电路，与电源连接，用于接入内部电路上电复位信号及外部信号并发出初始化复位信号；初始化电路，包括原始电流源；所述初始化电路与所述电...
- 陈后鹏李喜王倩范茜胡佳俊张怡云金荣许伟义陈小刚蔡道林宋志棠
- 文献传递
- 具有初始化功能的相变存储器写擦电路及其快速写擦方法
- 本发明提供一种具有初始化功能的相变存储器写擦电路，所述相变存储器写擦电路至少包括：初始化控制电路，与电源连接，用于接入内部电路上电复位信号及外部信号并发出初始化复位信号；初始化电路，包括原始电流源；所述初始化电路与所述电...
- 陈后鹏李喜王倩范茜胡佳俊张怡云金荣许伟义陈小刚蔡道林宋志棠
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- 具有实时触发器状态保存功能的触发器电路
- 本发明提供一种具有实时触发器状态保存功能的触发器电路。该触发器电路至少包括：触发器电路本体；连接在所述触发器电路本体输出端的写控制电路，用于基于写信号来传输所述触发器电路本体的状态；包含由相变材料构成的存储单元的存储电路...
- 陈后鹏张怡云王倩范茜许伟义金荣胡佳俊李喜蔡道林宋志棠
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- 基于市电的开关功放电路
- 本发明提供一种基于市电的开关功放电路。该开关功放电路至少包括：用于将市电整流为直流电的整流电路；用于基于所述直流电来提供所需的共模电平的共模电平提供电路；用于基于所述直流电与所述共模电平来分别提供相互对应的正向脉宽信号与...
- 金荣陈后鹏许伟义王倩宋志棠
- 文献传递
- 具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路
- 本发明提供一种具有对芯片内部低噪声干扰的静电放电防护电路。该静电放电防护电路设置在芯片中，该芯片还包括：主电路及连接所述主电路的第一电源端及第一接地端；所述静电放电防护电路至少包括：连接所述主电路的静电放电防护电路单元；...
- 王倩陈后鹏许伟义蔡道林金荣宋志棠
- 文献传递
- 一种具有掉电数据保持功能的触发器设计
- 2012年
- 提出了一种用相变器件作为可擦写存储单元的具有掉电数据保持功能的触发器电路.该触发器由四部分组成:具有恢复掉电时数据的双置位端触发器DFF、上电掉电监测置位电路(Power On/Off Reset)、相变存储单元的读写电路(Read Write)和Reset/Set信号产生电路,使之在掉电时能够保存数据,并在上电时完成数据恢复.基于0.13μm SMIC标准CMOS工艺,采用Candence软件对触发器进行仿真,掉电速度达到0.15μs/V的情况下,上电时可以在30ns内恢复掉电时的数据状态.
- 张怡云陈后鹏王倩许伟义金荣宋志棠
- 关键词：相变存储器触发器
- 基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路
- 2013年
- 相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。
- 范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠
- 关键词：相变存储器阶梯波
