苗静
- 作品数：16 被引量：63H指数：5
- 供职机构：中北大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程理学更多>>
- 基于改进惯性权重PSO算法的目标位置测量技术被引量：5
- 2010年
- 针对现有目标位置求解算法推导复杂和标准粒子群算法易陷入局部最优点的问题,提出了一种基于改进惯性权重粒子群算法的目标位置测量方法。该方法通过引进指数因子改进标准粒子群算法的惯性权重,平衡了其全局和局部搜索能力,实现了目标位置的高精度测量。仿真结果表明利用该方法能有效地对目标进行位置测量,测量精度达到0.5%。该方法对无线传感器网络定位、移动通信定位等工程问题也具有一定的研究意义和应用价值。
- 苗静姚金杰苏新彦
- 关键词：粒子群优化算法惯性权重
- 基于硅晶圆键合的MEMS电容超声传感器研究
- 基于MEMS电容式超声传感器相比于目前市场上广泛使用的压电陶瓷类换能器的诸多技术优越性，为满足超声成像的应用需求,本文对基于硅晶片键合的微电容超声传感器进行研究。通过建立理论模型，进行了传感器结构参数分析;设计微传感器结...
- 苗静
- 关键词：微机电系统
- 文献传递
- 单片集成八梁臂三轴加速度计
- 本发明涉及MEMS传感器领域中的加速度传感器，具体是一种单片集成八梁臂三轴加速度计，解决了现有加速度计灵敏度低、轴间耦合度大、封装结构复杂、安装测试不方便、耐高温性差的问题。该加速度计包括八根弹性梁臂、中心固支块和质量块...
- 张文栋何常德薛晨阳熊继军刘俊张国军杜春晖宛克敬葛晓洋苗静廉德钦于佳琪张永平
- 文献传递
- 单片集成八梁臂三轴加速度计
- 本发明涉及MEMS传感器领域中的加速度传感器，具体是一种单片集成八梁臂三轴加速度计，解决了现有加速度计灵敏度低、轴间耦合度大、封装结构复杂、安装测试不方便、耐高温性差的问题。该加速度计包括八根弹性梁臂、中心固支块和质量块...
- 张文栋何常德薛晨阳熊继军刘俊张国军杜春晖宛克敬葛晓洋苗静廉德钦于佳琪张永平
- 一体化全振导电薄膜结构的电容式超声传感器及其制作方法
- 本发明为一种一体化全振导电薄膜结构的电容式超声传感器，解决了现有传感器频率偏差大、归一化位移低、灵敏度低等问题。该传感器包括刻有若干圆柱形微结构腔的硅衬底以及通过键合技术键合在硅衬底上的全振薄膜，全振薄膜与圆柱形微结构腔...
- 薛晨阳何常德苗静张国军张文栋熊继军刘俊张慧
- 文献传递
- MEMS电容式超声传感器设计被引量：15
- 2013年
- 在传统的电容式超声传感器(CMUT)制造过程中,用低压化学气相淀积技术形成的氮化硅薄膜残余应力大且机械性能难以预知。为此,设计了一种基于阳极键合技术的CMUT,传感器薄膜和空腔分别定义在均匀性好、残余应力低的SOI片和玻璃片上。建立了一个简化的分析模型对该结构进行机械性能分析,采用有限元分析软件ANSYS仿真验证该所建立的分析模型并预估传感器的性能。利用ANSYS静电-结构耦合仿真给出了塌陷电压。介绍了敏感单元的工艺流程。所设计的传感器频率为1.48 MHz,灵敏度为0.24fF/Pa,塌陷电压为70V,量程为48kPa。
- 于佳琪何常德张永平苗静李玉平薛晨阳张文栋
- 关键词：阳极键合
- 单片集成MEMS压阻超声传感器
- 本发明为一种单片集成MEMS压阻超声传感器，解决了现有超声传感器灵敏度低的问题。本发明包括质量块边框，质量块边框的两相对短边之间固定有振动膜，振动膜两侧边的中间位置与质量块边框的两相对长边之间分别对称固定有侧梁，振动膜位...
- 薛晨阳何常德张国军于佳琪王红亮张文栋宛克敬廉德钦苗静杜春晖张永平
- 文献传递
- 一种基于MATLAB的CMUT阵列设计与成像仿真方法被引量：7
- 2014年
- 为了分析阵列设计参数与成像效果的关系,提高微电容超声传感器(CMUT)阵列设计的可靠性,提出了一种仿真CMUT阵列水下成像方法。设计了一种CMUT结构,振膜厚3μm,振动单元边长1.16 mm,ANSYS仿真得出中心频率为464 kHz。讨论了阵列参数与声束指向性关系,以空间脉冲响应理论为基础提出了一种可显示CMUT阵列成像效果图的仿真设计方法。通过MATLAB对该方法的仿真,模拟了不同结构的CMUT线阵在不同激励形式下的水下成像。仿真结果表明,64阵元且阵元中心距0.5λ的CMUT线阵在单脉冲激励下成像效果最好。该仿真方法的实验结果与理论一致,且相比单纯理论分析该方法结论更直观,考虑成像影响因素更全面。
- 张慧何常德苗静李玉平张文栋薛晨阳
- 关键词：阵列设计
- 基于硅晶圆键合工艺的MEMS电容式超声传感器设计被引量：18
- 2012年
- 针对目前电容超声传感器多采用表面工艺制备,存在振膜应力大、厚度均匀性控制差且表面需要沉积分立电极而造成传感器灵敏度低、归一化位移小、频率易偏差的缺点,提出基于硅晶圆键合工艺的MEMS电容超声传感器。采用应力小、厚度均匀的SOI顶层硅作为敏感单元的一体化全振微传感薄膜,无需沉积分立电极,易于加工且频率偏差小。通过下电极的区域化定义及巧妙互联,避免了非活跃区的寄生电容。通过ANSYS及MATLAB对所设计的5种工作频率在124 kHz～484 kHz之间、满足水下成像需求的传感器结构进行性能分析,表明传感器的电容变化量为650.62 fF/Pa～10.827 fF/Pa,满足现有条件的信号检测,输出电压灵敏度可达1.700 mV/Pa。与同频率指标的传统基于牺牲工艺而制备的金属-氮化膜堆栈结构对比表明,本结构频率可预测性高,偏差仅为0.0535%;振膜变形更均匀,归一化位移提高0.0432%以上;灵敏度平均提高11.9249 dB。
- 苗静何常德廉德钦张慧于佳琪宛克敬薛晨阳张文栋
- 关键词：超声传感器电容
- 单片集成MEMS压阻超声传感器
- 本发明为一种单片集成MEMS压阻超声传感器，解决了现有超声传感器灵敏度低的问题。本发明包括质量块边框，质量块边框的两相对短边之间固定有振动膜，振动膜两侧边的中间位置与质量块边框的两相对长边之间分别对称固定有侧梁，振动膜位...
- 薛晨阳何常德张国军于佳琪王红亮张文栋宛克敬廉德钦苗静杜春晖张永平
