胡燕伟
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学机电学院更多>>
- 发文基金：江苏省高技术研究计划项目更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学电子电信更多>>
- 进电方式对P型硅极间电阻影响的试验研究被引量：2
- 2009年
- 研究了不同进电方式条件下P型硅极间电阻的变化特征,并从进电有效接触面积的角度对其进行分析。通过对电阻率4.7Ω.cm的P型硅进行放电切割,获取的单脉冲放电电压、电流波形验证了试验分析的正确性。结果表明,面进电方式下P型硅的极间电阻最小,且进电有效接触面积越大,P型硅的极间电阻就越小,放电切割电流就越大。
- 毕勇刘志东邱明波汪炜田宗军胡燕伟黄因慧
- 关键词：硅
- 进电材料及压力对半导体放电加工接触电阻的影响被引量：5
- 2010年
- 为了减小半导体放电加工中的接触电阻,首先采用具有不同功函数的材料对P型硅进电,进行伏安特性测试,得出当进电材料的功函数与半导体材料功函数相近时接触电阻比较小;其次对在不同接触压力下的P型硅进行了伏安特性测试,结论表明压力越大进电材料与半导体之间的平均间隙越小进而接触电阻越小;再次利用电火花线切割(WEDM)对P型硅加工对上述结论进行了实验验证。最后提出了两项有利于减小半导体接触电阻的工艺措施,以便更好地指导半导体材料的放电加工。
- 胡燕伟刘志东邱明波汪炜田宗军毕勇黄因慧
- 关键词：放电加工半导体接触电阻接触压力
- 半导体晶体材料表面进电特性及电火花铣削加工研究
- 半导体诸如硅、锗因其具有对光、热、电、磁等外界因素变化十分敏感而独特的电学性质,已成为尖端科学技术中应用最为活跃的先进材料之一。然而其硬度高、脆性很大,传统机械加工方法很难加工。因此,迫切需要探索新的加工方法。本课题组利...
- 胡燕伟
- 关键词：半导体接触电阻电火花铣削
- 锗晶体放电切割中钝化物形成机理及防范方法被引量：2
- 2010年
- 在利用电火花线切割(WEDM)加工锗晶体时,会出现回路放电电流逐渐减少,并伴随着进电材料与锗晶体间有钝化物的生成,最终导致放电切割无法延续。本实验对放电切割状态进行了实验模拟并生成了钝化物,运用XRD技术对钝化物进行了分析,提出了一种防范钝化物产生的方法,最后采用这种方法利用改进的线切割机床对N型锗进行了放电切割,高效稳定地加工出了工件,从而验证了这种防钝化物产生方法的可行性,为进一步提高锗晶体的放电加工工艺指标奠定了基础。
- 胡燕伟刘志东田宗军邱明波汪炜毕勇黄因慧
- 关键词：电火花线切割
