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林楠

作品数：5 被引量：16H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金瞬态光学与光子技术国家重点实验室开放基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 3篇量子阱混杂
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 2篇空位
  • 1篇调制
  • 1篇调制特性
  • 1篇弯曲损耗
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇介质膜
  • 1篇均匀性
  • 1篇空位扩散
  • 1篇蓝移
  • 1篇寄生参数
  • 1篇光斑
  • 1篇光谱
  • 1篇光强

机构

  • 5篇中国科学院
  • 4篇西安理工大学

作者

  • 5篇林楠
  • 4篇林涛
  • 4篇马骁宇
  • 2篇郑凯
  • 2篇马新尖
  • 2篇孙航
  • 2篇王勇刚
  • 1篇王鑫
  • 1篇马晓宇
  • 1篇赵懿昊
  • 1篇刘素平
  • 1篇仲莉
  • 1篇王翠鸾
  • 1篇井红旗
  • 1篇吴霞

传媒

  • 2篇激光与光电子...
  • 2篇西安理工大学...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 3篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
半导体激光器光纤耦合输出光斑均匀性的研究被引量：6
2015年
自行设计实验,采用CCD采集光纤末端输出的光斑,利用Matlab编写程序,分析了光纤输出光斑的光密度分布规律,并利用三维立体图进行直观表示。研究了光纤尺寸、数值孔径和弯曲程度对输出光斑均匀性的影响,结果显示,光纤越长,输出光斑越均匀;芯径与所用光源的尺度越接近,输出光斑越均匀;光纤弯曲后,光斑变得模糊化、均匀化,但光强变弱。
井红旗王翠鸾吴霞赵懿昊王鑫林楠仲莉刘素平马骁宇
关键词：光纤光强光斑均匀性弯曲损耗
寄生参数对半导体激光器直接调制特性的影响被引量：4
2011年
通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。
林涛林楠马新尖郑凯马晓宇
关键词：半导体激光器调制特性寄生参数
无杂质空位诱导量子阱混杂研究及应用现状被引量：4
2015年
自量子阱混杂发现以来,其在这几十年的发展中取得了巨大进步。在各种量子阱混杂的方法中,无杂质空位扩散诱导量子阱混杂(IFVD)以其独特的优势获得了细致的研究和广泛的应用。主要从混杂原理、介质膜类型、材料系、低维量子点中的应用和器件应用等几个方面来全面分析IFVD研究和应用现状。
林涛孙航张浩卿林楠马骁宇王勇刚
关键词：量子阱混杂介质膜量子点
基于SiO_2膜的GaInP/AlGaInP无杂质空位扩散诱导量子阱混杂的研究（英文）被引量：2
2015年
在红光半导体激光器芯片上采用Si O2介质膜进行无杂质空位扩散诱导量子阱混杂研究。激光器芯片的有源区是由两个6 nm厚的Ga In P量子阱和三个8 nm厚的Al Ga In P量子垒构成,利用电子束蒸发方法在芯片表面生长了250 nm Si O2介质膜。在不同温度下进行时长60 s的高温快速退火诱发量子阱混杂。通过光致发光光谱分析样品混杂之后的波长蓝移情况和光谱半峰全宽变化规律。当退火温度达到900℃时,样品获得29.5 nm的最大波长蓝移;在750℃的退火温度下获得43 nm的最小光谱半峰全宽。
林涛张浩卿孙航王勇刚林楠马骁宇
关键词：激光器蓝移量子阱混杂
量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响被引量：1
2012年
研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小。较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏。
林涛林楠马新尖郑凯马骁宇
关键词：量子阱混杂光致发光谱半导体激光器
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