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马新尖

作品数:6 被引量:8H指数:2
供职机构:西安理工大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金陕西省教育厅科研计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 4篇半导体
  • 4篇半导体激光
  • 4篇半导体激光器
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶硅
  • 2篇单晶硅太阳电...
  • 2篇电池
  • 2篇杂质能级
  • 2篇太阳电池
  • 2篇条形激光器
  • 2篇腔面
  • 2篇功率半导体
  • 2篇光腔
  • 2篇硅太阳电池
  • 2篇发光
  • 2篇波导
  • 2篇波导结
  • 2篇波导结构

机构

  • 6篇西安理工大学
  • 2篇中国科学院

作者

  • 6篇马新尖
  • 5篇林涛
  • 2篇李超
  • 2篇林楠
  • 2篇郑凯
  • 2篇林楠
  • 1篇马骁宇
  • 1篇马晓宇

传媒

  • 2篇西安理工大学...
  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 1篇2014
  • 3篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
晶硅太阳电池减反射膜的研究
随着全球能源危机和环境污染问题日益突出,太阳能作为理想的可再生能源日益得到广泛的关注。虽然太阳电池可直接将太阳能转化为电能,具有很多得天独厚的优势,但转化效率偏低和应用成本过高一直是影响其全球大规模应用的主要瓶颈。通过开...
马新尖
关键词:单晶硅太阳电池氮化硅减反射膜特性参数
文献传递
寄生参数对半导体激光器直接调制特性的影响被引量:4
2011年
通过理论推导和模拟计算,给出激光器调制带宽和其它参数之间的关系。分析了不同张驰振荡频率、衰减系数和寄生参数下的调制特性。结果表明当寄生参数过大时,激光器的3 dB调制带宽主要受寄生参数限制,因而只能在解决了寄生参数限制的前提下,通过对器件的有源区和结构进行优化才能获取高的3 dB调制带宽。对于制作的聚酰亚胺埋沟掩埋激光器和AlGaInAs脊型波导激光器其最大3 dB调制带宽分别为5 GHz和8.5 GHz,定性地解释了两类半导体激光器调制特性的测试结果。
林涛林楠马新尖郑凯马晓宇
关键词:半导体激光器调制特性寄生参数
带有非吸收窗口的大功率半导体激光器
本发明公开了一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器,非吸收窗口位于激光器的脊型或者条形上方,且非吸收窗口分布在激光器腔面两端,呈半柱形结构分布,其平面部分即为激光器的出光腔面,其弧面部分位于激光器的腔长内部;非吸收窗口的...
林涛张浩卿马新尖李超林楠
单晶硅太阳电池电致发光缺陷及工艺影响因素分析被引量:3
2013年
通过实验对比的方法对单晶硅太阳电池电致发光(EL)缺陷及不同工艺的影响进行了分析,测试了电池片的开路电压、短路电流、填充因子、光电转换效率等性能参数,并统计了太阳电池片的EL缺陷比例。实验发现浆料组分配比、烧结工艺稳定性及硅片质量是引起太阳电池EL缺陷的主要原因,浆料质量、丝网印刷工艺参数、烧结温度稳定性及镀膜工艺的减反射及钝化效果也对太阳电池的光电转换效率存在一定的影响。在此基础上,通过分析建议改善烧结工艺稳定性,采用性能更好的浆料和硅片,优化丝网印刷参数及氨气和硅烷流量比,来改善太阳电池EL缺陷,提高太阳电池的光电转换效率和合格率。
马新尖林涛
关键词:太阳电池电致发光浆料硅片
带有非吸收窗口的大功率半导体激光器
本发明公开了一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器,非吸收窗口位于激光器的脊型或者条形上方,且非吸收窗口分布在激光器腔面两端,呈半柱形结构分布,其平面部分即为激光器的出光腔面,其弧面部分位于激光器的腔长内部;非吸收窗口的...
林涛张浩卿马新尖李超林楠
文献传递
量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响被引量:1
2012年
研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律。当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小。较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏。
林涛林楠马新尖郑凯马骁宇
关键词:量子阱混杂光致发光谱半导体激光器
共1页<1>
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