陈嘉鹏
- 作品数：16 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术航空宇航科学技术更多>>
- 基于自适应增量调制的语音延时电路设计被引量：1
- 2012年
- 传统的脉冲编码调制需要较长的码,其实现结构复杂。文中介绍了增量调制(DM)的原理,说明了它的优缺点,引入了对它改进后的调制方式——自适应增量调制(ADM)。自适应增量调制不仅集成了DM调制实现结构简单的特点,而且大大降低了DM调制中的量化噪声和斜率过载噪声,性能更为优良。根据ADM的原理,设计了采用自适应增量调制原理的语音延时电路,通过流片验证了其优异的性能,实测延时后的噪声电压为-88dBV,总谐波噪声+失真<0.5%。
- 陈峰陈嘉鹏苏郁秋
- 关键词：自适应增量调制延时
- 基于kingview的通风机在线远程监控系统设计
- 2017年
- 针对矿井通风机监测布线困难、安装维护工作量大、不能实时地对数据进行采集和预报警等问题,设计一种基于kingview的通风机在线远程监控系统,重点阐述系统结构和功能实现。
- 任杰刘士全陈嘉鹏
- 关键词：通风机KINGVIEW
- 基于异步保存及互锁存储单元的抗SEE触发器设计被引量：1
- 2013年
- 利用Muller_C单元,设计一种异步保存及互锁存储单元结构,该结构采用状态锁存机制和增加节点电容方法,能有效防止单粒子翻转效应的发生,同时也可提高电路抗单粒子瞬变和多节点扰动效应的能力。在0.18μm工艺条件下用此结构设计的D触发器,面积为1 422μm2,动态功耗为0.42mW,建立时间为0.2ns,保持时间为0.03ns。实验结果表明:利用触发器链验证电路,在时钟频率为20 MHz时,单粒子LET翻转阈值为31MeV·cm2/mg,比双互锁存储单元结构的抗单粒子能力提高40%。
- 张筱颖李博周昕杰于跃陈嘉鹏于宗光
- 关键词：单粒子效应触发器
- 0.18 μm SOI工艺抗辐照触发器性能研究被引量：1
- 2014年
- 随着集成电路制造工艺尺寸不断减小、集成度不断提高,集成电路在太空环境应用中更容易受到单粒子辐照效应的影响,可靠性问题越发严重。特别是对高频数字电路而言,单粒子翻转效应(SEU)及单粒子瞬态扰动(SET)会导致数据软错误。虽然以往的大尺寸SOI工艺,具有很好的抗单粒子性能,但仍需要对深亚微米SOI电路进行辐照效应研究。文中通过对4种触发器链进行抗辐照设计,用0.18μm SOI工艺进行了流片验证,并与体硅CMOS工艺对比分析。1.8V电源电压条件下的触发器翻转阈值可以达到41.7MeV·cm2/mg,抗辐射性能比0.18μm体硅CMOS工艺提升了约200%。
- 周昕杰于宗光田海燕陈嘉鹏
- 关键词：辐照效应触发器
- 宇航元器件在轨测试研究被引量：1
- 2016年
- 对国内宇航元器件应用现状进行调查研究,阐述了宇航元器件进行在轨测试的必要性。对宇航元器件在轨测试的方法进行探讨,列举了目前常用的在轨测试方法。重点对宇航元器件进行在轨测试参数选择,对实施方案进行分析,同时对航天元器件在轨参数进行了研究。随着航天事业不断发展,宇航元器件在轨测试将会得到更多的关注和应用,将为实现宇航元器件的自主发展打下基础。
- 陈嘉鹏蔡洁明黄旭东宋国栋
- 关键词：在轨测试抗辐射
- 通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法
- 本发明涉及在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法，通过将部分耗尽型SOI/MOS器件背部衬底引出，外接负电压，从而改善辐射条件下部分耗尽型SOI/MOS器件的背栅效应。本发明的优点是：此方法不但解决了SOI/M...
- 周昕杰罗静陈嘉鹏王栋洪根深
- 文献传递
- 一种通用式电平转换类芯片的单粒子效应测控系统
- 本实用新型涉及一种通用式电平转换类芯片的单粒子效应测控系统，所述的测控系统内包括单粒子测试单元和单粒子控制单元，单粒子测试单元中包括主控芯片FPGA、复位电路、下载电路、五路AVC16T245调压模块、多路DUT，所述的...
- 高国伦陈曦陈嘉鹏
- 多板卡多通道串口卡的验证方法及验证系统
- 本发明涉及一种多通道串口卡的验证方法，尤其是多板卡多通道串口卡的验证方法及验证系统。多板卡多通道串口卡的验证方法，包括以下步骤：设置虚拟串口，根据串口卡的数量以及每个串口卡的通道数量虚拟出相应数量的虚拟串口；虚拟串口接收...
- 鲍中朱银忠陈嘉鹏
- 通过负电荷泵在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法
- 本发明涉及在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法，通过从SOI/MOS器件硅膜正面开孔，接触孔穿过埋氧化层，将衬底接到SOI/MOS器件表面的负电荷泵，从而改善辐射条件下部分耗尽型SOI/MOS器件的背栅效应。...
- 周昕杰罗静陈嘉鹏王栋洪根深
- 通过合金键合在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法
- 本发明涉及在背栅接负电压的SOI/MOS器件结构及制造方法，通过将部分耗尽型SOI/MOS器件背部衬底引出，外接负电压，从而改善辐射条件下部分耗尽型SOI/MOS器件的背栅效应。本发明的优点是：此方法不但解决了SOI/M...
- 周昕杰罗静陈嘉鹏王栋洪根深
- 文献传递
