吴东旭
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：上海理工大学机械工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征被引量：1
- 2015年
- 采用化学气相沉积法,通过改变催化剂和衬底,以Ga2O3和Ga N的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的Ga N纳米线,制备的平躺于衬底的Ga N纳米线的直径约为60 nm,长度为10μm到30μm之间。垂直于衬底的Ga N纳米线阵列的直径约为300 nm,长度约为5μm。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了分析表征,结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的Ga N单晶纳米线。通过改变催化剂和衬底等生长条件,研究了衬底和催化剂对纳米线生长方向的影响,为以后的大量制备以及纳米器件的制作提供了依据。
- 吴东旭郑学军程宏斌李佳罗晓菊
- 关键词：GAN纳米线化学气相沉积催化剂衬底
- 一种用Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN混合粉末制备氮化镓纳米线阵列的方法
- 一种用Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN混合粉末制备氮化镓纳米线阵列的方法，将Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>与GaN混合研磨装入小瓷舟中；将镀有3nm厚的Au作催化剂的...
- 郑学军程宏斌李佳吴东旭罗晓菊
- 文献传递
- 一种氮化镓纳米线的制备方法
- 本发明公开一种氮化镓纳米线的制备方法。即以Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和GaN作为混合镓源装入小瓷舟中，将镀有催化剂Ni层或Au层的Si衬底材料放到石英管中，然后将小瓷舟放到石英管中，混合镓源中...
- 郑学军程宏斌李佳吴东旭罗晓菊
- 文献传递
- Ga_2O_3和GaN混合镓源制备GaN纳米线
- 2014年
- 采用Ga2O3/GaN、Ga2O3和GaN三种镓源,通过化学气相沉积(CVD)法,在镀有Ni催化剂的Si(100)基片上制备了GaN纳米线,使用SEM、XRD、EDS、HRTEM和PL对样品的形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,研究了镓源与基片距离(生长温度)及催化剂种类对纳米线生长的影响。结果表明,相对于Ga2O3和GaN单一镓源,采用Ga2O3/GaN混合镓源制备出的纳米线表面更加光滑,结晶度更高。此外,GaN纳米线的最佳制备工艺参数为:氨气流量0.03 L/min,催化剂Ni,镓源与基片距离11 cm(生长温度950℃)。
- 李佳吴东旭罗晓菊程宏斌郑学军
- 关键词：化学气相沉积法氮化镓纳米线发光性能
- GaN纳米线的制备及光催化性能研究被引量：1
- 2016年
- 采用化学气相沉积法(CVD)制备了大量的Ga N纳米线,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱(EDS)和光致发光光谱仪(PL)对制备的样品形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,并对其进行降解罗丹明B水溶液的光催化性能测试。结果表明,通过化学气相沉积法制备出了高质量的Ga N纳米线,且Ga N作为催化剂有一定的光催化效果。罗丹明B水溶液会因染料自身敏化作用而降解,但实验发现达到相同降解水平时无催化剂要比有催化剂至少多10 min。Ga N作为催化剂时的降解速率k值为0.068 min^(-1),其数值相对于无催化剂时提高了17.2%。
- 李佳姜涛程宏斌郑学军王现英吴东旭
- 关键词：GAN纳米线罗丹明B紫外光光催化
