罗晓菊
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：上海理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金长江学者和创新团队发展计划上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信化学工程更多>>
- 不同生长方向的GaN纳米线的可控制备与性能表征被引量：1
- 2015年
- 采用化学气相沉积法,通过改变催化剂和衬底,以Ga2O3和Ga N的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的Ga N纳米线,制备的平躺于衬底的Ga N纳米线的直径约为60 nm,长度为10μm到30μm之间。垂直于衬底的Ga N纳米线阵列的直径约为300 nm,长度约为5μm。使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行了分析表征,结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的Ga N单晶纳米线。通过改变催化剂和衬底等生长条件,研究了衬底和催化剂对纳米线生长方向的影响,为以后的大量制备以及纳米器件的制作提供了依据。
- 吴东旭郑学军程宏斌李佳罗晓菊
- 关键词：GAN纳米线化学气相沉积催化剂衬底
- 一种氮化镓纳米线的制备方法
- 本发明公开一种氮化镓纳米线的制备方法。即以Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>和GaN作为混合镓源装入小瓷舟中，将镀有催化剂Ni层或Au层的Si衬底材料放到石英管中，然后将小瓷舟放到石英管中，混合镓源中...
- 郑学军程宏斌李佳吴东旭罗晓菊
- 文献传递
- GaN/ZnO复合体的制备及光催化性能被引量：2
- 2014年
- 首先用聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为表面活性剂,硝酸镓[Ga(NO3)3]作为镓源,采用溶胶–凝胶法制备了GaN粉末。然后通过固相法将GaN粉末和ZnO粉末按不同配比机械混合,制备成GaN/ZnO复合体。采用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和发致光谱(PL)表征GaN/ZnO复合体的微结构、形貌、成分和发光特性,并将其作为催化剂进行降解亚甲基蓝水溶液的光催化性能测试。结果表明:GaN/ZnO复合体对比未经复合的GaN和ZnO粉末,光催化性能有明显的增强。基于一级动力学方程分析,当GaN/ZnO复合体中GaN粉末和ZnO粉末含量配比为1:2时,光催化性能达到最佳,其速率常数k值为0.11 min-1。
- 彭丹郑学军谢澍梵罗晓菊王丁
- 关键词：光催化亚甲基蓝反应动力学
- Ga_2O_3和GaN混合镓源制备GaN纳米线
- 2014年
- 采用Ga2O3/GaN、Ga2O3和GaN三种镓源,通过化学气相沉积(CVD)法,在镀有Ni催化剂的Si(100)基片上制备了GaN纳米线,使用SEM、XRD、EDS、HRTEM和PL对样品的形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,研究了镓源与基片距离(生长温度)及催化剂种类对纳米线生长的影响。结果表明,相对于Ga2O3和GaN单一镓源,采用Ga2O3/GaN混合镓源制备出的纳米线表面更加光滑,结晶度更高。此外,GaN纳米线的最佳制备工艺参数为:氨气流量0.03 L/min,催化剂Ni,镓源与基片距离11 cm(生长温度950℃)。
- 李佳吴东旭罗晓菊程宏斌郑学军
- 关键词：化学气相沉积法氮化镓纳米线发光性能
- 一种用Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN混合粉末制备氮化镓纳米线阵列的方法
- 一种用Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>/GaN混合粉末制备氮化镓纳米线阵列的方法，将Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>与GaN混合研磨装入小瓷舟中；将镀有3nm厚的Au作催化剂的...
- 郑学军程宏斌李佳吴东旭罗晓菊
- 文献传递
