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廖军和

作品数：3 被引量：7H指数：1
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇亚微米
  • 2篇深亚微米
  • 2篇微米
  • 2篇静态时序分析
  • 1篇电镀
  • 1篇电路
  • 1篇形式化
  • 1篇形式化验证
  • 1篇专用集成电路
  • 1篇逻辑综合
  • 1篇化学机械抛光
  • 1篇机械抛光
  • 1篇集成电路
  • 1篇VLSI
  • 1篇ASIC设计

机构

  • 3篇合肥工业大学

作者

  • 3篇廖军和
  • 2篇叶兵
  • 1篇高盼盼
  • 1篇唐海霞

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇合肥工业大学...

年份

  • 3篇2009
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
深亚微米ASIC设计中的静态时序分析被引量：7
2009年
随着集成电路的飞速发展,芯片能否进行全面成功的静态时序分析已成为其保证是否能正常工作的关键。描述了静态时序分析的原理,并以准同步数字系列(PDH)传输系统中16路E1 EoPDH(ethernet over PDH)转换器芯片为例,详细介绍了针对时钟定义、端口约束等关键问题的时序约束策略。结果表明,静态时序分析对该芯片的时序收敛进行了很好的验证。
廖军和叶兵
关键词：ASIC设计静态时序分析
深亚微米EoPDH专用集成电路的设计与实现
本论文主要阐述了一款准同步数字系列/(PDH/)传输系统中16路E1 EoPDH转换器/(Ethernet over PDH/)芯片的ASIC设计过程。论文首先简要地介绍了ASIC的一些基本概念和设计流程,并以EoPDH...
廖军和
关键词：专用集成电路逻辑综合静态时序分析形式化验证
文献传递
VLSI的电镀和化学机械抛光技术
2009年
从0.13μm工艺节点开始,铜电镀(ECP)和化学机械抛光技术(CMP)成为VLSI(超大规模集成电路)多层铜互连布线制备中不可缺少的工艺。铜CMP后的碟型、侵蚀等平坦性缺陷将使芯片表面厚度不均匀,形成互连RC延迟,影响芯片性能和良率;研究发现,铜CMP后的厚度变异不只受CMP影响,还受ECP后芯片厚度影响;文章介绍了ECP、CMP对铜CMP后厚度影响的实验研究,针对CMP后厚度不均匀性的解决方法,着重分析了基于可制造性设计的电镀和化学机械抛光技术,如基于设计规则、电镀和化学机械抛光模型的金属填充等。
唐海霞叶兵高盼盼廖军和
关键词：电镀化学机械抛光
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