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唐海霞
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1
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合肥工业大学电子科学与应用物理学院
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相关领域:
电子电信
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合作作者
廖军和
合肥工业大学电子科学与应用物理...
叶兵
合肥工业大学电子科学与应用物理...
高盼盼
合肥工业大学电子科学与应用物理...
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2009
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VLSI的电镀和化学机械抛光技术
2009年
从0.13μm工艺节点开始,铜电镀(ECP)和化学机械抛光技术(CMP)成为VLSI(超大规模集成电路)多层铜互连布线制备中不可缺少的工艺。铜CMP后的碟型、侵蚀等平坦性缺陷将使芯片表面厚度不均匀,形成互连RC延迟,影响芯片性能和良率;研究发现,铜CMP后的厚度变异不只受CMP影响,还受ECP后芯片厚度影响;文章介绍了ECP、CMP对铜CMP后厚度影响的实验研究,针对CMP后厚度不均匀性的解决方法,着重分析了基于可制造性设计的电镀和化学机械抛光技术,如基于设计规则、电镀和化学机械抛光模型的金属填充等。
唐海霞
叶兵
高盼盼
廖军和
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电镀
化学机械抛光
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