您的位置： 专家智库 > >

陈扬文

作品数：7 被引量：4H指数：2
供职机构：复旦大学更多>>
发文基金：“上海－应用材料研究与发展”基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇纳米
  • 3篇电子器件
  • 3篇纳米电子
  • 3篇纳米电子器件
  • 3篇纳米线
  • 3篇溅射
  • 2篇镀镍
  • 2篇纳米管
  • 2篇混合粉
  • 2篇混合粉末
  • 2篇硅纳米管
  • 2篇硅纳米线
  • 2篇沉积温度
  • 2篇成核
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇镀镍工艺
  • 1篇退火
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇热蒸发

机构

  • 7篇复旦大学

作者

  • 7篇陈扬文
  • 6篇江素华
  • 6篇邵丙铣
  • 4篇汪荣昌
  • 3篇戎瑞芬
  • 3篇顾志光
  • 3篇王炜
  • 1篇王家楫
  • 1篇刘丽蓓

传媒

  • 1篇无机化学学报
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2010
  • 5篇2008
  • 1篇2007
共 7 条 记 录，以下是 1-7
全选 清除 导出
排序方式：
一种硅纳米线表面镀镍的方法
本发明是一种硅纳米线表面镀镍的方法，即采用3～5％HF剔除氧化物辅助生长的硅纳米线表面硅氧层，以氩离子溅射装置为溅射设备，在硅纳米线表面实现了镍的表面金属化过程，在一定温度下进行退火，得到了性能及结构更好的、由金属镍薄膜...
江素华陈扬文邵丙铣王炜戎瑞芬顾志光汪荣昌
文献传递
一种硅纳米管的制备方法
本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米...
陈扬文江素华邵丙铣王炜
文献传递
一种硅纳米管的制备方法
本发明是一种硅纳米管的制备方法，该方法采用SiO和Si等混合粉末为起始原料，以少量稀土元素为间接催化剂，在较高温度、较低的气体压力条件下，使原料热蒸发并在合适的沉积温度下，依靠硅原子的堆积成核，制备了具有空心结构的硅纳米...
陈扬文江素华邵丙铣王炜
文献传递
高压条件下合成硅纳米线被引量：3
2007年
随着现代芯片集成度的不断增加。晶体管的特征尺寸持续减小．著名的摩尔定律受到了极大的挑战。按现在材料、工艺技术的发展，体硅技术在今后发展一段时间后将达到其极限．这就要求有新的材料、新的工艺来满足将来IC工业发展要求。硅纳米线由于其本征材料仍然是硅．能与现代微电子技术相兼容．受纳米尺度量子效应、库仑阻塞效应、表面效应等因素的影响．
陈扬文江素华邵丙铣汪荣昌
关键词：硅纳米线
Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺
2008年
研究了Si纳米线表面Ni薄膜生长工艺。采用热蒸发法以SiO为起始原料制备自组生长的Si纳米线,再以5%(体积分数)HF剔除Si纳米线表面硅氧化合物,采用氩离子磁控溅射的方法在Si纳米线表面溅射一定厚度的无定形Ni颗粒,此后对镀Ni的Si纳米线进行完整晶体结构的退火处理。应用高分辨透射电镜(HRTEM)等结构表征工具分析了Si纳米线表面Ni薄膜的形成过程,HRTEM结果表明,在350℃左右退火得到的Si纳米线表面能形成连续的、结构完整的Ni薄膜;退火温度低于300℃时,表面溅射的Ni结晶效果较差;退火温度在800℃时,表面Ni薄膜发生团聚,形成了分立的纳米颗粒。
陈扬文江素华邵丙铣戎瑞芬汪荣昌顾志光王家楫
关键词：SI纳米线磁控溅射退火
适用于纳米电子器件的超长硅纳米线合成被引量：2
2008年
采用SiO为起始原料、Ar为载气，蒸发温度1300℃、压力1～2×104Pa的生长条件下，成功地合成了超长的单晶硅纳米线；以SiO和P205混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂；借助电感耦合等离子体质谱仪（ICPMS）分析了硅纳米线P掺杂效果；利用扫描电镜（SEM）、高分辨透射电镜（HRTEM）、X射线衍射仪（XDR）等检测手段对硅纳米线进行了形貌和结构的表征，测试结果表明在不同的沉积区域硅纳米线具有大致相同的直径，但其长度随着温度的升高而变长，在1180℃的生长区域，硅纳米线的长度达到了150μm；硅纳米线表面氧化层经HF和NH4F混合溶液处理后被完全剔除。
陈扬文江素华刘丽蓓邵丙铣顾志光戎瑞芬汪荣昌
关键词：热蒸发掺杂
一维硅纳米材料及镍硅异质结纳米线的制备和表征
一维纳米结构的硅材料是一类新型的半导体光电材料，由于它具有体硅材料稳定的半导体性，能和当代成熟的微电子技术相兼容，有望将来能够在纳米器件中得到广泛的应用。本文对硅的一维纳米结构材料进行了制备、表征及性能测试的研究。　　 ...
陈扬文
关键词：硅材料半导体光电材料磁控溅射
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0