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陈良艳

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 2篇导体
  • 2篇多晶
  • 2篇水合
  • 2篇水合肼
  • 2篇同相
  • 2篇硒化锌
  • 2篇离子
  • 2篇离子源
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体薄膜
  • 1篇第一性原理
  • 1篇结合能
  • 1篇SI(001...

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇张道礼
  • 3篇张建兵
  • 3篇陈良艳
  • 2篇黄川
  • 2篇曹翀
  • 1篇翟光美

传媒

  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种硒化锌多晶纳米薄膜的制备方法
本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源，自制Na<Sub>2</Sub>SeSO<Sub>3</Sub>溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se<Sup>2-</Sup>源，采用单一水...
张道礼陈良艳黄川曹翀张建兵
文献传递
一种硒化锌多晶纳米薄膜的制备方法
本发明公开了一种硒化锌多晶纳米薄膜的化学浴制备方法。采用锌盐溶液作为锌离子源，自制Na<Sub>2</Sub>SeSO<Sub>3</Sub>溶液或配制硒脲或二甲基硒脲溶液提供Se<Sup>2－</Sup>源，采用单一水...
张道礼陈良艳黄川曹翀张建兵
文献传递
Si(001)外延ZnSe薄膜界面原子的结合与成键
2009年
基于密度泛函理论的第一性原理计算,通过对Si(001)和氮化Si(001)表面单层Zn/Se原子结合的方式,模拟ZnSe外延薄膜的二维生长模式,从单层原子结合能、界面原子电子得失、共价结合成键的角度解释了Zn/Se原子在衬底表面的黏附性问题,阐述了薄膜生长初期界面无定形Se出现等现象,分析了氮化Si(001)表面对薄膜二维均匀生长的作用,结果显示N的引入缓和了Si衬底的非极性共价结合与ZnSe原子间的极性离子键结合之间的异质差异。
陈良艳张道礼翟光美张建兵
关键词：第一性原理结合能
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