陆虹
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- EEPROM存储器电荷泵系统抗辐照加固研究
- 2013年
- EEPROM存储系统中常采用电荷泵来实现高压和负压,在辐照环境中由于辐照对某些高压器件及电路的影响,可能导致电荷泵产生的电压出现偏移甚至失效,以致影响整个存储器的工作。主要针对电荷泵系统中高压器件的辐照特性进行研究。根据辐照试验前后的测试结果对高压器件以及电路的变化趋势进行分析。通过对辐照环境下高低压器件在阈值电压偏移上的差别分析并结合器件的辐照机理,推断出辐照对高压器件的影响趋势,并针对高压器件辐照特性来研究电荷泵系统中电荷泵电路及基准源电路的抗辐照加固设计方法,以保证整个电荷泵系统在辐照环境下可以为EERPOM存储器提供正常的工作电压。
- 景欣王佳宁陆虹
- 关键词：高压器件电荷泵基准源总剂量
- 深亚微米存储器各器件辐照特性研究
- 2013年
- 为了研究抗辐照的EEPROM,针对其系统中的关键元器件(高压NMOS、低压NMOS,高压PMOS、低压PMOS和SONOS存储单元)进行了总剂量辐照实验的研究和分析,同时考虑FN、CHE编程的存储单元的辐照特性差别,为设计抗辐照的EEPROM电路提供理论、实验依据。实验结果表明辐照对低压管(低压NMOS和低压PMOS)的影响主要表现在漏电增加;辐照对高压管(高压NMOS和高压PMOS)的影响主要表现在阈值漂移;辐照对SONOS存储单元的影响主要表现在阈值漂移。从编程方法上讲FN编程有利于提高SONOS存储单元的抗辐照特性。
- 王佳宁景欣陆虹
- 关键词：深亚微米总剂量
- 两种EEPROM存储器读取电路特性比较研究
- 2015年
- EEPROM存储器是通过存储单元介质层中存储电荷的数量来实现不同数据的保存。读取电路需要将存储介质中的电荷区别转换成可识别的电流电压形式进行读出。主要针对EEPROM这类存储器的读取电路中产生参考电流的不同结构进行研究。对采用基准源产生参考电流和采用参考存储单元产生参考电流的两种结构,结合对温度、电源、工艺角的仿真和分析,推断出两种结构在各种条件组合下对电路读出性能、可靠性以及抗辐照效果的影响。比较得出带参考存储单元的读出结构,虽然结构复杂,但可以有效中和环境对读出特性的影响,保证整个存储器可以在更广泛的应用下提供高可靠的读取操作。
- 景欣陆虹
- 关键词：存储器灵敏放大器基准源可靠性
- 闪存高压电路的总剂量辐射效应研究
- 2014年
- 研究了闪存电路系统中高压电路的总剂量辐射效应(TID)。通过对内部高压电荷泵电路和高压负载电路的TID辐射效应测试研究,表明辐照后高压通路相关的存储阵列及高压晶体管漏电将造成电荷泵电路的负载电流过载失效,最终导致闪存电路编程或擦除操作失效。
- 杨大为刘利芳谯凤英陆虹潘立阳
- 关键词：闪存高压电路电荷泵总剂量辐射
- 嵌入式串行EEPROM研究被引量：7
- 2007年
- 首先对一种嵌入式串行EEPROM进行了研究,存储容量为4K×8,考虑到可移植性,兼容性,以及体积,成本等因素,采用了串行数据I/O。并给出了该电路的结构框图,对电路原理进行了简单的叙述,并探讨了EEPROM存储单元结构及原理。
- 李和太蒋晶鑫陆虹
- 关键词：电可擦可编程只读存储器串行
