您的位置： 专家智库 > >

廖良

作品数：6 被引量：14H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第二十四研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇基准电压
  • 3篇基准电压源
  • 2篇电源
  • 2篇电源抑制
  • 2篇电源抑制比
  • 2篇抑制比
  • 2篇线性电源
  • 2篇模拟集成电路
  • 2篇集成电路
  • 2篇硅栅
  • 2篇NMOS
  • 1篇带隙基准
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇低温度系数
  • 1篇电路设计
  • 1篇电压基准
  • 1篇电压基准源
  • 1篇振荡器

机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇廖良
  • 4篇许云
  • 4篇王敬
  • 3篇胡永贵
  • 2篇张正璠
  • 2篇朱冬梅
  • 1篇石红
  • 1篇李荣强
  • 1篇曾莉
  • 1篇胡波
  • 1篇罗秀芳
  • 1篇李骏

传媒

  • 3篇微电子学
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
共 6 条 记 录，以下是 1-6
全选 清除 导出
排序方式：
一种高电源抑制比的NMOS基准电压源
本发明公开了一种高电源抑制比的NMOS基准电压源，它含有：一个NMOS预基准源电路，其输出为基准源电路供电，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管；一个基准源电路，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管。...
胡永贵张正璠朱冬梅许云余金锋王敬廖良
文献传递
一种高精度低压差电压调整器被引量：5
2006年
介绍了一种高精度低压差电压调整器（LDO）的电路设计。该电路采用2μm CBIP工艺技术制作，具有输出精度高（±0．8%）、输入输出压差低（0．20V，100mA）、温度系数低（-55～125℃，变化10mV）、输出仅接一个0．47μF瓷介电容，即可实现稳定工作等特点，简化了外围设计。
许云廖良李荣强
关键词：模拟集成电路低温度系数
一种高性能次表面齐纳基准源的研制
介绍了一种次表面齐纳基准源的电路设计及工艺实现，电路通过次表面击穿齐纳二极管和正向BE结电压的温度补偿，得到了具有低温度系数的基准电压输出；设计了改进型成尔逊镜像电流源提高了电压调整率。芯片通过高压双极工艺流片实现，经测...
廖良王敬
关键词：电压基准源电路设计温度补偿
一种用于DC/DC控制器的三角波发生电路被引量：3
2007年
介绍了一种用于两路两相DC/DC控制器的三角波发生电路;描述了电路工作原理、线路设计、版图设计。电路包括弛张振荡器和相位转换电路。采用0.5μm BiCMOS工艺模型库验证。仿真结果表明,该电路可以输出频率和幅度可调的两路180°反相三角波,并已应用在两路两相同步工作的单片DC/DC控制器中。
廖良王敬许云胡永贵罗秀芳
关键词：三角波发生器弛张振荡器DC/DC控制器
一种实用的曲率补偿带隙基准电压源被引量：6
2007年
介绍了一种带隙基准电压源二阶曲率补偿技术及其在传统双极工艺中的实现。与传统带隙基准电压源相比，这种结构只需增加几个电阻，便可极大地改善温度特性。Hspice仿真结果表明，在-55～125℃范围内，温度系数可以减小到7ppm／℃这种结构可通过其他IC工艺实现，具有极高的实用价值。
胡波李骏廖良石红曾莉
关键词：曲率补偿带隙基准电压源模拟集成电路
一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源
本发明公开了一种高电源抑制比的E/D NMOS基准电压源，它含有：一个E/D NMOS预基准源电路，其输出为基准源电路供电，包括四个耗尽型NMOS管和四个增强型NMOS管；一个基准源电路，包括四个耗尽型NMOS管和四个增...
胡永贵张正璠朱冬梅许云余金锋王敬廖良
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0