宏潇
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 用于相变存储器的自适应1.5X/2X/3X高效电荷泵
- 2011年
- 针对相变存储器中编程驱动电路的电源效率问题,设计了一种1.5X/2X/3X自适应高效电荷泵,电路采用跳周期模式稳定输出电压。在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型下,对电路进行了仿真。结果表明,在输入电压为2.2～4.8V时,输出5V电压,最大负载电流为10mA,电源效率最高可达94%。
- 富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩丁晟李喜宏潇
- 关键词：电荷泵DC-DC变换器相变存储器
- 用于相变存储器的超低输出纹波电荷泵被引量：2
- 2012年
- 针对相变存储器编程操作对电荷泵低输出纹波与高瞬态响应速度的要求,提出了一种超低输出电压纹波的开关电容型电荷泵。相比于传统开关电容型电荷泵,在充电阶段,由电压比较器控制泵电容充电时间,泵电容被充电至预先设定的电压值Vo Vin后停止充电,其中Vo为预期输出电压,Vin为输入电源电压;放电阶段,泵电容串联在输入电源Vin与电荷泵输出端,泵电容上极板电压自然地被提升至Vo并向外部负载输出电流。通过该方法固定电荷泵输出电压,可有效地消除由于电容间电荷分享所造成的输出纹波,并兼顾了高瞬态响应速度。使用中芯国际0.18μm标准CMOS工艺模型进行仿真验证,结果表明新结构的电荷泵在输入电压为2.2～4.8 V间,输出5 V电压,10 mA负载电流,输出纹波低于3 mV,电源效率最高可达88%。
- 富聪宋志棠陈后鹏蔡道林王倩宏潇
- 关键词：电荷泵DC-DC相变存储器
- 基于0．13μm工艺的8Mb相变存储器被引量：4
- 2011年
- 采用0.13μm工艺,4层金属布线,在标准CMOS技术的基础上增加3张掩膜制备了一款8Mb相变存储器。1.2V的低压NMOS管作为单元选通器,单元大小为50F2。外围电路采用3.3V工作电压的CMOS电路。Set和Reset操作电流分别为0.4mA和2mA。读出操作的电流为10μA,芯片疲劳特性次数超过了108。
- 蔡道林陈后鹏王倩丁晟富聪陈一峰宏潇李喜陈小刚刘波宋志棠封松林
- 关键词：相变存储器
- 大电流负载的片上LDO系统设计被引量：3
- 2013年
- 本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2.
- 胡佳俊陈后鹏宋志棠王倩宏潇李喜许伟义
- 关键词：瞬态响应相位裕度快速响应低压差
- 一种相变存储的快速擦写操作方法
- 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的...
- 宏潇陈后鹏宋志棠陈一峰
- 文献传递
- 一种适用于相变存储器的低噪声时钟发生器被引量：1
- 2011年
- 基于相变存储器的特性,设计了一种具有低功耗、低噪声的时钟发生器。该时钟由压控振荡器产生,并通过时钟控制电路转换为相变存储器存储操作所需的reset、set信号。由于纳米尺寸下的相变存储器件受噪声影响严重,该电路降低了外围驱动对相变存储单元的低频噪声干扰,能够改进相变存储器性能。电路采用40 nm CMOS工艺设计,电源电压为1.8 V,功耗为1.26 mW,RMS抖动为0.83 ps,p-p抖动为5.14 ps,芯片面积为80μm×90μm。
- 宏潇陈后鹏宋志棠刘波
- 关键词：相变存储器时钟发生器压控振荡器
- 一种相变存储的快速擦写操作方法
- 本发明提供一种相变存储的快速擦写操作方法，进行擦操作的SET编程脉冲依次为预编程脉冲及编程脉冲，所述预编程脉冲使得相变存储单元超越相变的开关阈值，保持时间小于写操作的RESET脉冲操作时间。本发明还提供一种相变存储电路的...
- 宏潇陈后鹏宋志棠陈一峰
- 文献传递
- 基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路
- 2013年
- 相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。
- 范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠
- 关键词：相变存储器阶梯波
- 一种适用于相变存储器锁相环时钟的新型电荷泵
- 2013年
- 设计了一款低噪声、低功耗的电荷泵,适用于相变存储器驱动电路中的锁相环时钟。与其它结构的电荷泵相比较,此款电路对时钟馈通与电荷注入等干扰免疫力强。根据相变存储器对驱动电路低噪声的性能要求,本电路具有低的热噪声和1/f噪声。仿真结果表明输出电压在0℃～80℃温度范围内最大仅有11mV的偏差,其与PFD所产生的相位噪声在1MHz频率下为-102dB。电路采用40nm CMOS工艺设计,电源电压2.5V,功耗0.125mW,芯片面积60 m×55 m。
- 宏潇陈后鹏宋志棠刘波
- 关键词：电荷泵锁相环相位噪声相变存储器
