刘菲
- 作品数：2 被引量：30H指数：2
- 供职机构：北京理工大学光电学院光电成像技术与系统教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大数值孔径产业化极紫外投影光刻物镜设计被引量：21
- 2011年
- 极紫外光刻技术（EUVL）是半导体制造实现22 nm及以下节点的下一代光刻技术,高分辨投影物镜的设计是实现高分辨光刻的关键技术。为设计满足22 nm产业化光刻机需求的极紫外光刻投影物镜,采用6枚高次非球面反射镜,像方数值孔径达到0.3,像方视场宽度达到1.5 mm。整个曝光视场内的平均波像差均方根值（RMS）为0.0228λ,不采用任何分辨率增强技术的情况下,75 nm光学成像的焦深内,25 nm分辨力的光学调制传递函数（MTF）大于45%。在部分相干因子为0.5-0.8的照明条件下,畸变小于1.6 nm,线宽变化小于1.6%。物面到像面的距离为1075 mm,像方工作距大于30 mm。该物镜结合离轴照明或相移掩模等分辨率增强技术,能够在更大的焦深内实现22 nm光刻分辨率的光刻胶成像,满足半导体制造中22 nm节点技术对产业化极紫外光刻物镜的需求。
- 刘菲李艳秋
- 关键词：投影物镜
- 16～22nm极紫外光刻物镜工程化设计被引量：14
- 2013年
- 极紫外光刻是16～22nm光刻技术节点的候选技术之一,其投影物镜设计需在满足像质和分辨率要求的前提下,兼顾工程可实现性。在考虑加工、检测和制造约束的情况下,设计了像方数值孔径分别为0.3和0.32、曝光视场为26mm×1.5mm的极紫外光刻投影物镜。详细分析和比较了两套物镜的光学性能和可制造性。结果表明,两套物镜结合分辨率增强技术可分别满足22nm和16nm光刻技术节点的性能要求。
- 曹振李艳秋刘菲
- 关键词：光学设计投影物镜极紫外光刻
