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任小娇

作品数:6 被引量:9H指数:2
供职机构:西安电子科技大学微电子学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 2篇电荷泵
  • 2篇电荷泵电路
  • 2篇电路
  • 2篇振荡器
  • 2篇时域
  • 2篇时域测量
  • 2篇时钟
  • 2篇时钟产生
  • 2篇时钟产生电路
  • 2篇时钟信号
  • 2篇品质因数
  • 2篇无源
  • 2篇芯片
  • 2篇功耗
  • 2篇测量电路
  • 2篇产生电路
  • 1篇压控
  • 1篇压控振荡器
  • 1篇射频识别
  • 1篇衰减器

机构

  • 6篇西安电子科技...
  • 1篇巴黎第十一大...

作者

  • 6篇任小娇
  • 5篇庄奕琪
  • 3篇李小明
  • 3篇杜永乾
  • 2篇齐增卫
  • 2篇张岩龙
  • 1篇李振荣
  • 1篇刘伟峰
  • 1篇张明
  • 1篇李红云

传媒

  • 3篇西安电子科技...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2012
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
用于无源UHF RFID芯片的EEPROM的电荷泵电路
本发明公开了一种用于无源UHF RFID芯片的EEPROM的电荷泵电路,主要解决现有EEPROM的电荷泵电路上电期间功耗过大的问题。该装置由双相非交叠时钟产生电路(201)、数字电路(202)、控制逻辑电路(203)和主...
庄奕琪杜永乾李小明任小娇
一种适用于超高频射频识别的温度传感器被引量:3
2014年
设计了一种采用双压控振荡器的适用于超高频射频识别(UHF RFID)应用的温度传感器,可应用于环境温度检测以及物流链中.由于采用了两个结构完全相同的压控振荡器,可以抵消工艺偏差和电源电压变化等因素带来的影响,使输出仅和温度有关.采用了时分工作方式,使电路在检测完温度以后处于关断状态,有效地避免了重复计数的问题,并使该传感器完全不影响整体标签的工作距离.采用SMIC0.18μm 2P4M EEPROM工艺进行流片,测试结果显示,标签读距离达到6m,写距离达到2.5m;在-40℃^+85℃温度范围内,温度测量精度为0.5℃,误差最大不超过±1.5℃.
齐增卫庄奕琪李小明刘伟峰张岩龙任小娇
关键词:超高频射频识别温度传感器温度误差
片上集成的品质因数时域测量电路的研究
振荡器作为频率选择元件被广泛用于消费、通信、工业、汽车等电子领域,而MEMS振荡器凭借其在体积、重量、功耗、可靠性、灵敏度等方面的优势,加之易于集成,更加稳定,成本更低以及制造时间短的特点,逐渐与石英晶体振荡器平分秋色。...
任小娇
关键词:品质因数时域测量片上集成振荡器
0.35μm CMOS工艺的品质因数时域测量电路被引量:1
2017年
基于品质因数的时域测量方法,提出了一种新的可以片上集成的品质因数测量电路,不仅在特定频率能实现品质因数的精确测量,还可在保持电路精度的前提下,覆盖一定待测信号的频带.在采用之前提出的可重构电路的基础上,改进了峰值探测器的补偿方式,进行了系统精度和扩频所需的理论分析,有效指导了电路的设计.另外,数字控制逻辑的改进,将总功耗降低7.5%.并通过集成电路的方式在0.35μm CMOS工艺下实现此电路,在电源电压为5V,输入信号频率为1MHz的条件下,实现品质因数的相对误差小于±0.2%,并且在精度不变的情况下,将待测信号的频段扩展到100kHz^1.5MHz.
任小娇张明LLASER Nicolas越柏鹤庄奕琪
关键词:品质因数时域测量
用于无源UHF RFID芯片的EEPROM的电荷泵电路
本发明公开了一种用于无源UHF RFID芯片的EEPROM的电荷泵电路,主要解决现有EEPROM的电荷泵电路上电期间功耗过大的问题。该装置由双相非交叠时钟产生电路(201)、数字电路(202)、控制逻辑电路(203)和主...
庄奕琪杜永乾李小明任小娇
文献传递
一种5~20GHz低插损低相位误差的CMOS衰减器被引量:5
2015年
设计了一种具有低插入损耗、低相位误差的5位CMOS集总式衰减器.该衰减器基于0.18μm CMOS工艺,采用桥T和π形衰减结构,通过NMOS晶体管开关控制5个独立的衰减模块,在5-20GHz的工作频段范围内实现步长1dB、动态范围0-31dB的信号幅度衰减.其中,串联控制开关管采用体端通过电阻与源极相连的结构,在不增加寄生电容的前提下,降低导通电阻;并联控制开关采用体端交流悬浮结构,以提高整体衰减器的线性度.较大衰减量的衰减模块采用电感进行补偿,以减小附加相移.仿真结果显示,该衰减器插入损耗最小为6.1dB,最大为12.6dB,各状态衰减量均方根小于0.5dB,附加相移均方根小于3.4°,中心频率处1dB压缩点为14.13dBm.
张岩龙庄奕琪李振荣任小娇齐增卫杜永乾李红云
关键词:衰减器CMOS开关
共1页<1>
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