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王达夫

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：天津职业技术师范大学更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇NIO
  • 3篇电流
  • 3篇电流密度
  • 3篇欧姆接触
  • 3篇欧姆接触电极
  • 3篇接触电极
  • 3篇击穿电压
  • 3篇二极管
  • 3篇反向击穿
  • 3篇反向击穿电压
  • 2篇蒸发法
  • 1篇整流特性
  • 1篇热蒸发
  • 1篇热蒸发法
  • 1篇溅射
  • 1篇NA
  • 1篇PN结
  • 1篇SI
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射

机构

  • 4篇天津职业技术...
  • 1篇东京理科大学

作者

  • 4篇李彤
  • 4篇王达夫
  • 2篇邓学松
  • 1篇王铁钢
  • 1篇倪晓昌
  • 1篇陈佳楣
  • 1篇赵新为

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管
本发明公开了一种Si/NiO:Ag异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Ag薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Ag薄膜最后采...
李彤王达夫邓学松
文献传递
一种Si/NiO:Al异质pn结二极管
本发明公开了一种Si/NiO:Al异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结由n型Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜而得到的异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在n型Si衬底上制备p型NiO:Al薄膜最后采...
李彤邓学松王达夫
文献传递
一种NiO:Al/ZnO异质pn结二极管
本发明公开了一种NiO:Al/ZnO异质pn结二极管，至少包括pn结和欧姆接触电极，所述pn结在Si衬底上生长p型NiO:Al薄膜以及n型ZnO薄膜得到异质pn结。本发明利用磁控溅射工艺在Si衬底上制备NiO:Al/Zn...
李彤陈佳楣王达夫
文献传递
O_2含量对Si/NiO:Na异质pn结的光电性能影响被引量：1
2015年
利用磁控溅射方法在n型Si衬底上制备了NiO:Na薄膜构成异质pn结,并研究了其光电特性。实验结果表明,当O2/Ar+O2比例从0%升高到30%时,Si/NiO:Na的pn结表现出最佳整流特性,正向开启电压达到4.9V,-7V时才出现漏电流。这可能是由于NiO:Na薄膜结晶度得到改善,薄膜内缺陷减少所致。继续增加O2/Ar+O2比例,薄膜结晶质量转差,相应也削弱了其整流特性,这一结果得到X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和紫外(UV)透射结果的充分支持。
李彤王铁钢王达夫倪晓昌赵新为
关键词：NIOPN结磁控溅射整流特性
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