陈曦
- 作品数：8 被引量：16H指数：3
- 供职机构：西北工业大学材料学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金西北工业大学基础研究基金国家重大科学仪器设备开发专项更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- HfO_2基阻变存储器的电极效应（英文）
- 2015年
- 研究了Cu/HfO_2/ITO和TiN/HfO_2/ITO_2种结构阻变存储器件的电阻转变特性。2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为。Cu/HfO_2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO_2/ITO器件,在TiN顶电极和HfO_2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制。
- 谭婷婷郭婷婷李小晶陈曦冯丽萍刘正堂
- 关键词：HFO2薄膜氧空位
- 2D C/SiC复合材料氧化损伤的红外热波成像检测被引量：9
- 2011年
- 采用红外热波成像技术分别对二维叠层C/SiC(2D C/SiC)复合材料的无SiC涂层盲孔试样和有SiC涂层的三点弯曲强度试样的氧化损伤进行无损检测。分析了材料氧化损伤与热辐射强度信号之间的关系,以及热扩散系数与材料密度、抗弯强度之间的关系,探索了采用红外热波成像检测和评价2D C/SiC氧化损伤的可行性。检测结果表明:红外热波成像可以直观地反映2D C/SiC复合材料的氧化损伤。2D C/SiC氧化后的密度随热扩散系数的减小呈对数降低,其抗弯强度随热扩散系数的减小呈抛物线降低。由此得出,热扩散系数可以作为衡量陶瓷基复合材料的氧化损伤程度的依据,红外热波成像是一种无损检测陶瓷基复合材料氧化损伤的有效方法。
- 陈曦张立同梅辉成来飞邓晓东徐振业
- 关键词：无损检测
- 采用低温PL谱研究探测器级CdZnTe晶体
- 2014年
- 采用低温光致发光谱技术研究了核辐射探测器用高阻CdZnTe晶体。发现PL谱中的三个特征峰均与晶体质量有关,其中(D0,X)峰FWHM值和I DAP/I(D0,X)与晶格完整性和浅能级缺陷密度有关联,D2峰则与位错密度密切相关。采用双晶X射线摇摆曲线和位错腐蚀坑密度对此表征进行了验证。低温PL谱测试结果显示晶体质量较高的CdZnTe晶片,其探测器的能谱分辨率也相对较高。
- 李阳介万奇王涛杨帆殷子昂陈曦
- 关键词：CDZNTE晶体质量光致发光谱
- C/SiC复合材料盲孔缺陷深度的红外热成像定量测量被引量：4
- 2011年
- 利用在三维针刺C/SiC复合材料板上设计不同直径和深度的盲孔作为试样,模拟材料表面下的孔洞缺陷。采用红外热成像技术对试样盲孔缺陷进行检测,获得盲孔缺陷信息,通过最大温差法和lnT-lnt曲线二阶导数最大值法两种分析方法测量盲孔的深度并分析所产生的误差。结果表明:两种方法都可以实现对盲孔缺陷深度的定量测量,但产生的测量误差存在差异;当径深比为1～4.4时,采用最大温差法的误差明显小于lnT-lnt曲线二阶导数最大值法,而lnT-lnt曲线二阶导数最大值法的测量精度虽然稍低,但该方法所适用的径深比范围较宽,并且测量误差随着盲孔径深比的增大而减小。
- 徐振业成来飞梅辉陈曦邓晓东
- 关键词：红外热成像C/SIC复合材料
- 移动加热器法生长CZT晶体的成分及缺陷均匀性研究被引量：2
- 2013年
- 采用移动加热器法,成功生长出尺寸为φ55 mm×70 mm的CdZnTe晶体。采用电子探针、光致发光谱等方法,测试了晶体径向的成分和缺陷分布,并与垂直布里奇曼法生长的同成分CdZnTe晶体进行了对比分析。结果表明,移动加热器法生长的CdZnTe晶体沿径向的成分和缺陷分布均匀,均优于垂直布里奇曼法生长的晶体。
- 陈曦王涛周伯儒何杰李阳杨帆徐亚东查钢强介万奇
- 关键词：CDZNTE移动加热器法
- Te在CZT晶体中的不均匀分布及其对探测器能谱响应的影响
- <正>碲锌镉(CZT)探测器被认为是目前最有前途的室温核辐射探测器之一,广泛应用于核医学、安全检查、环境监测、工业无损检测、核武器突防、天体物理和高能物理等领域。Te夹杂是CZT晶体中最常见的第二相缺陷。Te夹杂的存在不...
- 王涛陈曦杨帆殷利迎何亦辉徐凌燕徐亚东查钢强介万奇
- 文献传递
- 金掺杂氧化铪薄膜的电阻转变性能研究
- 2015年
- 采用射频磁控溅射法在ITO基底上制备了Hf O2和Hf O2:Au薄膜,并对Cu/Hf O2/ITO和Cu/Hf O2:Au/ITO三明治结构进行了电阻转变性能测试。结果表明:两者均展现出可逆双极电阻转变性能,但Cu/Hf O2:Au/ITO器件的SET电压较小,电压分布更加集中并且性能更稳定。通过对器件双对数I-V曲线拟合分析,发现其电阻转变机制为空间电荷限制电流效应。金的掺入增加了薄膜中的缺陷,提高了基于氧空位的导电通道的均一性,从而优化了器件的电阻转变性能。
- 陈曦谭婷婷郭婷婷刘正堂
- 三维针刺C/SiC密度梯度板的无损检测与评价被引量：3
- 2010年
- 采用红外热成像设备检测三维针刺密度梯度纤维预制体化学气相渗透法(CVI)沉积碳化硅(SiC)前后内部的密度变化,追踪材料内部缺陷的遗传性,并用X射线和工业电子计算机X射线断层扫描技术(CT)验证上述实验的可靠性。结果表明:原预制体内部的孔洞缺陷因渗入SiC基体而被填充,缺陷消失;原预制体内部无缺陷处,经过CVI致密化工艺后产生新的孔洞缺陷,说明利用红外热成像技术可以追踪材料内部孔洞缺陷的遗传性;三维针刺密度梯度纤维预制体CVI沉积SiC前后,密度梯度发生逆转变化。
- 梅辉陈曦邓晓东孙磊成来飞张立同
- 关键词：复合材料无损检测红外热成像
