张昆
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华中科技大学机械科学与工程学院数字制造与装备技术国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划湖北省教育厅科学技术研究项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 湿法活化工艺对圆片直接键合影响规律研究
- 2013年
- 为了优化硅圆片直接键合工艺,利用正交试验法,研究了活化液浓度、活化时间和活化温度3个重要工艺参数对硅圆片表面粗糙度的影响规律.试验以活化后表面的承载率BR(bear ratio)高度为指标评价活化效果.其结果表明:活化液浓度对表面粗糙度影响最大,在试验设定水平内浓度越高粗糙度越低;活化时间越长则表面粗糙度越高,必须避免过长的活化时间;而活化温度则对表面粗糙度影响不大.据此结论优化了硅图片的键合工艺,实现了高质量的圆片键合.
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- 关键词：键合单晶硅表面活化表面粗糙度
- 钝化剂自组装单层膜在铜铜键合工艺中的应用
- 2014年
- 解决铜铜键合工艺中的铜氧化问题对于三维集成技术具有重要意义。选用1-己硫醇做临时钝化剂,通过自组装形式形成单层膜附着于铜表面,以防止铜在存放时与空气接触而发生氧化,键合前再使用乙醇等有机溶剂去除该单层膜。为了评估1-己硫醇的钝化效果,采用接触角作为主要指标对实验结果进行评价。研究表明,样片表面经过1-己硫醇处理后,接触角极大增加,并在空气中长时间保持稳定,说明1-己硫醇具有良好的钝化效果,采用此方法得到了高质量的铜铜热压键合样片。
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- 关键词：自组装单层膜钝化接触角
- 基于氧等离子体活化的硅硅直接键合工艺研究被引量：1
- 2013年
- 基于氧等离子体活化的硅硅直接键合是一种新型的低温直接键合技术。为了优化工艺参数,得到高质量的键合硅片,选用正交试验法,研究了氧等离子体活化时间、活化功率、氧气流量三个重要的工艺参数对键合的影响,并采用键合率评估键合质量。研究结果表明,活化功率对键合率的影响最大,氧气流量次之,活化时间对结果影响最小,据此结论,在上述工艺中需重点关注活化功率和氧气流量的参数选择。
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- 关键词：正交试验
- 应用于3D集成的高密度Cu/Sn微凸点键合技术被引量：2
- 2015年
- 3D-IC技术被看作是应对未来半导体产业不断增长的晶体管密度最有希望的解决方案,而微凸点键合技术是实现3D集成的关键技术之一。采用电镀工艺制作了直径为50μm、间距为130μm的高密度Cu/Sn微凸点,分析了不同预镀时间及电流密度对Cu微凸点形成质量的影响,并使用倒装焊机实现了高密度Cu/Sn微凸点的键合。利用直射式X射线、分层式X射线对键合样片进行无损检测,结果表明键合对准精度高,少量微凸点边缘有锡被挤出,这是由于锡层过厚导致。观察键合面形貌,可以发现Cu和Sn结合得不够紧密。进一步对键合面金属间化合物进行能谱分析,证实存在Cu6Sn5和Cu3Sn两种物质,说明Cu6Sn5没有与Cu充分反应生成稳态产物Cu3Sn,可以通过增加键合时间、减少Sn层厚度或增加退火工艺来促进Cu3Sn的生成。
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- 关键词：3D集成键合金属间化合物
- 面向三维封装的铜互连技术研究
- 在半导体行业中，芯片的集成度一直遵循着摩尔定律发展，但进入新世纪后，芯片的特征尺寸逐渐趋近物理极限，实现等比例缩减的代价变得非常高，摩尔定律难以持续。而三维集成及封装技术的出现有望突破技术瓶颈，使摩尔定律得以延续，因此众...
- 张昆
- 关键词：三维封装自组装
- 文献传递
