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刘君

作品数:4 被引量:9H指数:1
供职机构:中北大学信息与通信工程学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学机械工程电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇光程
  • 3篇光程差
  • 2篇白光
  • 1篇砷化镓
  • 1篇隧穿
  • 1篇微器件
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇发射极
  • 1篇白光干涉
  • 1篇I-V特性
  • 1篇测量技术
  • 1篇GAAS

机构

  • 4篇中北大学

作者

  • 4篇刘君
  • 3篇丑修建
  • 3篇牛康康
  • 3篇刘毅
  • 2篇薛晨阳
  • 1篇张斌珍
  • 1篇唐建军
  • 1篇王杰
  • 1篇谭振新
  • 1篇高杰
  • 1篇贾晓娟
  • 1篇李秋柱

传媒

  • 2篇测试技术学报
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国兵工学会...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
基于白光干涉测量技术的微器件三维形貌重构被引量:8
2009年
垂直扫描法可以重构微系统中微纳结构的表面形貌,更适合具有台阶结构的微纳结构,其分辨率高、解算速度快、精度较高.本文利用基于白光干涉技术的垂直扫描法,对微器件的台阶形貌在微系统测试仪下所得的干涉图进行分析,并重构台阶结构的表面形貌,微系统测试仪所取的干涉图符合垂直扫描法的要求,即光强峰值附近没有达到饱和,得出了清晰的三维形貌图,解算出的台阶高度和实际台阶高度一致,其横向分辨率为1.6μm,纵向分辨率为0.05μm.
李秋柱刘毅牛康康刘君丑修建
关键词:微器件白光干涉
GaAs基共振遂穿二极管的材料结构研究被引量:1
2011年
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长了三种不同材料结构的RTD。主要针对阱结构进行了对比设计,然后对设计结构进行了常温下的I-V特性测试,测试结果中器件的PVCR值最高达到了6,VP降低到了0.41V。同时常温下测试了其中一种设计结构的敏感单元在四种不同发射极面积下的I-V特性曲线。最后对器件阱结构和发射极面积大小与器件直流特性的关系进行了分析总结,为设计性能更好的RTD结构提供了参考依据。
王杰张斌珍刘君唐建军谭振新贾晓娟高杰
关键词:共振隧穿二极管I-V特性砷化镓发射极
基于白光透射反射干涉的形貌重构方法验证
利用扫描白光干涉的测量方法,通过透射反射干涉的方式,对覆盖不同层数透明薄膜GaAs台阶结构进行透射测试,实现了对覆盖透明薄膜的GaAs台阶结构三维形貌还原方法的验证.该测量方法是在Pizeo的驱动下,通过改变测量臂和参考...
刘君薛晨阳丑修建刘毅牛康康
文献传递
基于白光透射反射干涉的形貌重构方法验证
2010年
利用扫描白光干涉的测量方法,通过透射反射干涉的方式,对覆盖不同层数透明薄膜GaAs台阶结构进行透射测试,实现了对覆盖透明薄膜的GaAs台阶结构三维形貌还原方法的验证.该测量方法是在Pizeo的驱动下,通过改变测量臂和参考臂之间的光程差,使其不同高度的表面到达零光程差位置,并由CCD记录整个扫描过程中干涉条纹的变化状况,进而提取被测件的三维形貌信息.该测试技术具有非接触、无破损、高灵敏度和快速测量的特点.可为膜后形貌的三维重构提供借鉴方法.
刘君薛晨阳丑修建刘毅牛康康
共1页<1>
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