陈宏
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国科学院重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量被引量：1
- 2008年
- 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
- 郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭
- 关键词：电子转移器件
- 高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制被引量：5
- 2005年
- 报道了基于蓝宝石衬底的高性能 1mmAlGaN/GaNHEMTs功率器件 .为了提高微波功率器件性能 ,采用新的欧姆接触和新型空气桥方案 .测试表明 ,器件电流密度为 0 784A/mm ,跨导 197mS/mm ,击穿电压大于 4 0V ,截止态漏电较小 ,1mm栅宽器件的单位截止频率达到 2 0GHz,最大振荡频率为 2 8GHz ,功率增益为 11dB ,功率密度为 1 2W/mm ,PAE为 32 % 。
- 邵刚刘新宇和致经刘键魏珂陈晓娟吴德馨王晓亮陈宏
- 关键词：ALGAN/GANHEMT微波功率
- 带有低熔点凸点的倒装焊接结构及制作方法
- 本发明提出一种带有低熔点凸点的倒装焊接结构及制作方法。这种凸点制作方法是在普通纯金凸点和焊盘的制作基础上加以改进，凸点和焊盘采用Ti/Au结构，在凸点上或凸点对应的焊盘上蒸发一层Au/Sn合金或其他低熔点合金层，这种制作...
- 牛萍娟贾海强陈宏刘宏伟杨广华高铁成罗惠英
- 文献传递
- 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaNMOS-HFET器件被引量：1
- 2005年
- 为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaNHEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的MOS-HFET结构。采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaNMOS-HFET器件栅长1μm,栅宽80μm,测得最大饱和输出电流为784mA/mm,最大跨导为44.25ms/mm,最高栅偏压+6V。
- 陈晓娟刘新宇和致经刘键邵刚魏珂吴德馨王晓亮周钧铭陈宏
- 关键词：ALGANGANSIO2
- 倒装焊接结构及制作方法
- 本发明提出一种带有低熔点凸点的倒装焊焊接结构及制作方法。这种凸点制作方法是在普通纯金凸点和焊盘的制作基础上加以改进，凸点和焊盘采用Ti/Au结构，在凸点上或凸点对应的焊盘上蒸发一层Au/Sn合金或其他低熔点合金层，这种制...
- 牛萍娟贾海强陈宏刘宏伟杨广华高铁成罗惠英
- 文献传递
