王水力
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MgO缓冲层上钡铁氧体(BaFe_(12)O_(19))薄膜的制备与性能研究被引量：1
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积(PLD)技术在(0006)取向的蓝宝石基片上,通过MgO缓冲层诱导生长了BaFe12O19(BaM)薄膜,研究了沉积温度对BaM薄膜的晶体结构和磁性能的影响规律。X射线衍射(XRD)分析结果表明,在激光脉冲频率6Hz、激光能量180mJ、MgO缓冲层的厚度50nm和沉积温度为750℃的条件下,制得的BaM薄膜c轴取向最好,其(0008)面的ω摇摆曲线半高宽(FWHM)仅为0.289°。扫描电子显微镜(SEM)结果显示此时薄膜的晶粒已有部分呈六角片状。振动样品磁强计(VSM)测试表明,在750℃时沉积的BaM薄膜面外饱和磁化强度为190A/m,剩磁比0.82,薄膜磁性能良好。
- 丁关凤朱俊王水力张菲罗文博
- 介电氧化物/GaN基半导体异质结构的电学性能研究
- 第三代宽禁带半导体GaN材料具有大的禁带宽度、良好的导热性、高的载流子迁移速率和大的击穿场强。介电氧化物具有丰富的电学特性，如高的绝缘性和铁电极化特性等。将介电氧化物与GaN材料进行集成，可以得到功能丰富、性能更强和集成...
- 王水力
- 关键词：电子器件电学性能
- 文献传递
- Al_2O_3/AlGaN/GaN MOSH结构的制备和性能研究被引量：1
- 2011年
- 采用激光脉冲沉积法(PLD)在AlGaN/GaN半导体异质结构衬底上沉积Al2O3栅介质层,并对该异质结构的电学性能进行研究。结果表明,Al2O3栅介质层改善了异质结构的界面质量,增强了器件结构的抗击穿电场强度。研究了沉积氧分压对异质结构性能的影响,电流-电压(I-V)测试结果表明,适当氧分压(0.1 Pa)有利于降低栅漏电流。Hall测量和电容-电压(C-V)模拟结果表明,不同的氧分压会改变Al2O3/AlGaN界面处的正电荷密度,从而改变半导体内的二维电子气(2DEG)密度。
- 王水力朱俊郝兰众张鹰
- 关键词：ALGAN/GANAL2O3二维电子气
