王彦利
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：广东工业大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 射频磁控溅射法制备Zn_(1-x)Mg_xO薄膜及其性能的研究被引量：1
- 2011年
- 本文通过在ZnO靶材上放置高纯Mg片,运用射频磁控溅射法在普通玻璃衬底上制备了Zn1-xMgxO(x=0.1,0.16,0.18,0.24)薄膜。用X射线衍射仪、扫描电镜、紫外-可见-分光光度计等研究了Zn1-x MgxO薄膜的组织结构和性能。结果表明:Zn1-xMgxO薄膜呈ZnO的纤锌矿结构,在ZnO晶格中Mg2+有效地替代了Zn2+。样品表面比较平整,颗粒均匀致密,薄膜质量较高,且在可见光范围内光透过率均为90%左右,具有极好的透光性;此外,随着Mg掺入量的增多,Zn1-xMgxO薄膜的吸收边出现蓝移现象,实现了对禁带宽度的调节。
- 王彦利杨元政高振杰谢致薇陈先朝何玉定
- 关键词：射频磁控溅射禁带宽度
- 氧氩比和热处理对ZnO：Eu^3＋薄膜的结构及其发光性质的影响
- 2011年
- 用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了ZnO：Eu^3＋薄膜，通过X射线衍射仪和荧光光谱仪对样品进行了表征，考察了氧氩比和退火工艺对其结构及发光性能的影响。结果表明：样品均呈现ZnO的六角纤锌矿结构，适当的氧氩比有利于ZnO的C轴择优取向的形成，高温退火会使晶粒尺寸增大；合适的氧氩比，尤其是退火工艺（700℃）可以促进ZnO基质（372nm）到Eu^3＋离子（^5Do-^7F2）之间的能量传递，但过多的氧及高温退火不利于稀土Eu^3＋离子465nm（^7Fo-^5D2）到611nm（^5Do-^7F2）的直接能量传递。
- 高振杰杨元政王彦利谢致薇
- 关键词：磁控溅射光致发光
- 射频磁控溅射法制备的Eu掺杂ZnO薄膜的结构及其发光性质被引量：3
- 2011年
- 用射频磁控溅射法在石英衬底上制备了ZnO∶Eu3+薄膜,通过X射线衍射仪﹑扫描电子显微镜和荧光光谱仪测试了薄膜结构﹑形貌以及发光性能,重点考察了溅射功率和退火工艺对其组织结构和发光性能的影响。结果表明:样品均呈现ZnO的六角纤锌矿结构,增大溅射功率有利于形成ZnO的c轴择优取向;增大溅射功率以及高温退火会使晶粒尺寸增大;观察到稀土元素内部4f壳层的电子跃迁以及从ZnO基质到Eu3+离子之间的能量传递现象,增大溅射功率以及780℃退火能提高ZnO∶Eu3+薄膜的发光特性。
- 高振杰杨元政谢致薇王彦利
- Zn1-xMgxO薄膜和ZnO:Al/Si异质结的制备及光伏特性的研究
- ZnO是一种Ⅱ-Ⅳ族直接带隙宽禁带半导体，掺入Mg形成三元合金Zn1-xMgxO，其禁带宽度会随着Mg含量的变化从3.37eV连续调制到4.0eV。从而可以调节ZnO的发光特性，提高紫外光的发光效率，在半导体激光器、光学...
- 王彦利
- 关键词：光伏特性三元合金透明导电薄膜异质结
