施修龄
- 作品数：12 被引量：115H指数：5
- 供职机构：北京师范大学核科学与技术学院低能核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部留学回国人员科研启动基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺机械工程理学电子电信更多>>
- 铝合金表面等离子微弧氧化处理技术被引量：28
- 2003年
- 微弧氧化技术可以在铝合金表面上原位生长20～200μm的陶瓷氧化膜,该膜显微硬度为800～1500HV,能大大地提高材料表面的耐磨、耐蚀、耐压绝缘和抗高温冲击特性,在纺织、机械等工业部门中具有广阔地应用前景。
- 来永春施修龄华铭
- 关键词：铝合金微弧氧化
- SiC_P/2024铝基复合材料表面微弧氧化膜组织结构及其耐蚀性被引量：18
- 2006年
- 对SiCP/2024铝基复合材料进行微弧氧化表面处理,分析了陶瓷膜截面的显微组织、成分分布,测量了其相组成和硬度分布,并比较了氧化前后极化曲线的变化。结果表明,在硅酸盐溶液中获得的陶瓷膜由莫来石、α-Al2O3、γ-Al2O3晶态相和SiO2非晶相组成,残留的SiC增强体很少,膜与复合材料呈现良好的冶金结合。膜具有两层结构,外层Si含量较高并主要来自电解液,而内层膜里莫来石的形成同SiC增强体氧化密切相关。微弧氧化处理后,SiCP/2024铝基复合材料的抗腐蚀能力得到很大提高,这归因于形成了一层完整连续的氧化膜。
- 薛文斌吴晓玲施修龄李夕金田华
- 关键词：微弧氧化铝基复合材料陶瓷膜耐蚀性
- 应用等离子体化学反应的高频离子源中气压对引出金属离子和卤素离子含量的影响
- 1992年
- 高频离子源中等离子体化学反应引出金属和卤素离子的实验中,存在一个规律性的东西。那就是,放电室内的气压在工作范围内变化时,离子束中金属离子和卤素离子的含量也都随之改变。当气压升高时,金属离子的百分比增大,卤素离子的百分比减小;反之,金属离子的比率下降,而卤素离子的比率上升。本文对这样一个事实进行了一些讨论。
- 白桂彬施修龄孟昭兴
- 关键词：离子等离子体
- 镁合金等离子体氧化工艺及特性研究
- 2006年
- 采用等离子体氧化方法处理镁舍佥材料时，为了获得好的镁合金氧化膜，先恒定电流，随着氧化膜厚度的生长，电压自动上升，当升至450V时，再恒定电压，降低电流，这样获得的氧化膜致密、光滑、空隙少，具有良好的耐磨和耐蚀等特性。本文对氧化膜还进行了硬度和相结构分析，指出当氧化电压低于450V时，氧化镁主要结构为MgO2；当氧化电压高于550V时，氧化镁主要结构为高温相MgO。
- 华铭施修龄来永春
- 关键词：镁合金
- 铸铝材料微弧氧化表面改性
- 2006年
- 微弧氧化是近几年发展起来的一项材料表面改性技术，用微弧氧化技术处理铸铝材料在其表面可以形成几十至上百微米的陶瓷氧化层。经X射线衍射分析该氧化层具有α相和γ相Al2O3结构，使表面硬度提高到800—1000HV，大大改善了铸铝表面的耐磨、耐蚀、耐压绝缘和抗高温冲击特性，在发动机活塞和电熨斗中得到了很好的应用。
- 施修龄华铭吴晓玲
- 关键词：微弧氧化铸铝活塞
- LC4超硬铝合金微弧氧化膜电化学腐蚀特性被引量：11
- 2007年
- 用微弧氧化方法在LC4超硬铝合金表面获得较厚的氧化膜,测定了氧化膜的生长曲线及电流密度变化,并用电化学方法测定不同厚度膜的极化曲线,采用零电阻技术测量3.5%NaCl溶液中LC4铝合金-铜电偶对电偶腐蚀情况。用扫描电镜观察合金基体和微弧氧化膜的腐蚀形貌。经过微弧氧化处理后,LC4超硬铝的腐蚀电流密度比基体降低几个数量级,腐蚀电位上升,耐腐蚀性能得到很大提高,但膜超过一定厚度时腐蚀电流密度反而有所升高。较厚的微弧氧化膜大幅度降低了LC4/Cu电偶对的电偶电流,电偶电位正向移动。
- 薛文斌华铭施修龄李永良
- 关键词：微弧氧化超硬铝电偶腐蚀
- LC4超硬铝微弧氧化膜的生长及表征被引量：18
- 2008年
- 研究Al-Zn-Mg-Cu系LC4铝合金微弧氧化陶瓷膜生长动力学,测量样品外形尺寸随氧化时间的变化。分析膜的形貌、成分和相组成,测定膜层的显微硬度分布,并评估氧化前后样品的电化学腐蚀性能。氧化初期电流密度较高,膜生长较快。进入平稳生长期后,电流密度基本保持恒定,膜生长速度降低。膜层由γ-Al2O3,α-Al2O3和SiO2非晶相组成,γ-Al2O3的含量较高。氧化膜硬度比铝基体高得多,膜内层和外层平均硬度分别为1600 HV,450HV。LC4铝合金经过微弧氧化处理后,腐蚀电流大幅下降,耐蚀性得到很大提高。
- 薛文斌华铭杜建成田华施修龄
- 关键词：微弧氧化AL-ZN-MG-CU合金生长动力学
- 高频离子源中应用等离子体化学反应引出金属离子过程中一个基本规律的研究
- 1991年
- 高频离子源中应用等离子体化学反应引出金属离子的过程中,总结出了一个基本规律——“氧化——还原——氧化”,“”—”—””,“”—”—””,……。利用此规律,解决了一批金属离子的引出问题。已引出的离子有:Re^+、W^+、Mo^+、Ta^+、Pt^+、Pd^+、Au^+、Ag^+、Nb^+、Ti^+、V^+、Cr^+、Ni^+、Fe^+、Cu^+、Zn^+、Ga^+、Ge^+、Se^+、Si^+、Al^+、Mg^+、Be^+、Li^+、Bi^+、In^+、Sn^+、Pb^+、Cd^+等和稀土离子Y^+、Nd^+、Ce^+、Sm^+、Tm^+、Dy^+、Gd^+、Er^+等。
- 白桂彬施修龄孟昭兴
- 关键词：等离子体金属离子
- 铸造铝合金微弧氧化膜的生长动力学及耐蚀性能被引量：41
- 2007年
- 研究了ZL101铸造铝-硅合金微弧氧化陶瓷膜的生长动力学,探讨了膜生长厚度与电流密度(i)和生长速率(v)的关系。分析了膜的形貌和相组成,并用电化学法测量不同膜样品厚度的极化曲线。结果表明:膜生长分为3个阶段,氧化初期,i较高,但膜层生长较慢。在膜快速生长阶段,膜生长速率达到极大值。膜生长进入平稳期后,i基本保持恒定,样品的外部尺寸不再增加,膜逐渐转向基体内部生长。合金化元素硅的影响主要表现为氧化初期对膜生长的阻碍作用。铸造铝合金经过微弧氧化处理后,腐蚀电流大幅下降,极化电阻增加了几个数量级。较薄的微弧氧化膜同样大幅度提高了铝-硅合金的耐蚀性。
- 薛文斌华铭施修龄田华
- 关键词：微弧氧化铝-硅合金生长动力学耐蚀性
- 等离子微弧氧化膜的抗静电特性被引量：3
- 2004年
- 等离子体微弧氧化技术可以在铝合金表面原位生长 2 0 2 0 0 μm的陶瓷氧化膜 ,该膜具有很高的硬度 ,大大改善铝合金表面的耐磨、耐蚀特性 .对于某些抗静电要求较高的电子元件 ,除需有较高的耐磨、耐蚀特性外 ,还要求表面电阻控制在 10 610 10 Ω之间 .通过对氧化膜厚度的调整 ,可有效地控制表面电阻的大小 ,从而满足抗静电要求 .
- 来永春吴晓玲施修龄华铭杜建成
- 关键词：抗静电
