张太平
- 作品数：7 被引量：47H指数：4
- 供职机构：北京大学信息科学技术学院微电子研究院更多>>
- 发文基金：北京市教育委员会共建项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信核科学技术航空宇航科学技术更多>>
- 紫外和蓝光区域硅PIN光电二极管被引量：7
- 2002年
- 描述了采用离子注入、低温慢降温热处理和背面磷吸杂等方法在高阻 (111) N型硅片上研制高性能 PIN光电二极管的工艺技术 ,测量并分析了光电二极管的 I- V、C- V和光灵敏度等性能 .有源区面积为 16 mm× 17mm的二极管样品在全耗尽偏置电压下 (Vd=70 V) ,环境温度为 2 5℃时的暗电流和端电容典型值分别达到≤ 5 n A和≤ 12 0 p F.探测器在波长区域 (380～ 5 0 0 nm )的光谱响应典型值 :4 0 0 nm为 0 .2 6 A/ W,5 0 0 nm为 0 .33A / W.量子效率在 4 0 0～90 0 nm光谱范围内达到 70 %～ 80 % .对于紫外光至蓝光区域 。
- 宁宝俊张太平张录田大宇
- 关键词：PIN光电二极管暗电流光谱响应紫外
- 平面型硅光电二极管PIN的研制及其基本性能测试被引量：2
- 2006年
- 为满足CERN/ALICE超高能重离子对撞实验光子谱仪的需要,首次采用高阻硅材料,并利用一些特殊工艺,研制了用于钨酸铅晶体探测器读出单元的硅光电二极管PIN。PIN的灵敏区面积为16mm×17mm,常温漏电流小于5nA,紫光区量子效率82%,全耗尽结电容为110—120pF。由PIN与电荷灵敏前置放大器组成的读出系统的噪声水平,在-25℃下小于600个等效噪声电荷,并经过了长期性能稳定性的考验。开发研制的大面积PIN硅光管全面达到ALICE/PHOS国际招标所规定PIN硅光管性能的指标。
- 李成波袁坚孟秋英周书华张录张太平宁宝俊田大宇
- 关键词：PIN结电容漏电流量子效率
- 离子注入PIN辐射探测器的测试分析被引量：4
- 2005年
- 利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4 keV,能谱分辨率约为16.9 keV.由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地.
- 陈鸿飞邹积清田大宇张太平宁宝俊张录
- 关键词：噪声分辨率
- PIN探测器及配套ASIC成果介绍
- 本文简单介绍了北京大学最近几年研制成功的硅PIN结构的光探测器、带电粒子探测器及位置测量探测器
- 田大宇陈中建张太平宁宝俊张录陈鸿飞邹鸿施伟红邹积清
- 关键词：PIN探测器量子效率
- 文献传递
- 平面工艺辐射探测器的研制被引量：3
- 2001年
- 使用高阻 Si材料 ,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器—— PIN二极管 .采取 HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小 PIN二极管的暗电流 (反向电流 ) ,这对于提高器件性能起到了关键作用 .电压为 - 5 V时 ,探测器的暗电流可达 n A/ cm2 量级 .
- 张太平张录宁宝俊田大宇刘诗美王玮张洁天郭昭乔陈世媛
- 关键词：PIN二极管少子寿命辐射探测器
- Au-AlGaN/GaN HFET研制与器件特性被引量：20
- 2002年
- 报道了栅长为 1.5 μm Au- Al Ga N/ Ga N HFET器件的研制和器件的室温特性测试结果 .同时 ,研究了器件经30 0℃、30 min热处理对器件性能的影响 ,并对比了热处理前后器件的室温特性 .实验证明 :室温下 ,器件具有良好的输出特性和肖特基结伏安特性 ,反向漏电流较小 ,最大跨导可达 47m S/ mm;经过 30 0℃、30 m in热处理后器件的室温输出特性有显著改善 ,而且器件饱和压降明显降低 ,说明 30
- 张锦文闫桂珍张太平王玮宁宝俊武国英
- 关键词：ALGAN/GANHFET
- Ti/Al/Ti/Au与AlGaN欧姆接触特性被引量：12
- 2001年
- 研究了溅射 Ti/ Al/ Ti/ Au四层复合金属与 Al Ga N / Ga N的欧姆接触特性 ,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究 .试验证实 :溅射的 Ti/ Al/ Ti/ Au与载流子浓度为 2 .2 4× 10 1 8cm- 3的 Al Ga N之间在室温下无需退火即可形成欧姆接触 .随快速退火温度的升高接触电阻降低 .快速退火时间 30 s已可实现该温度下最佳欧姆接触 .当工作温度不高于 30
- 张锦文张太平王玮宁宝俊武国英
- 关键词：ALGAN欧姆接触硅钛半导体材料
