潘静
- 作品数：5 被引量：5H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省公益性技术应用研究计划项目国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 富磷熔体生长InP单晶的均匀性研究被引量：2
- 2014年
- 采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟(InP)熔体,并利用液封直拉法(LEC)生长出了掺硫及掺铁单晶材料。分别用快速扫描光荧光谱技术(PL-Mapping)、扫描电镜和傅里叶红外光谱对富磷单晶样品进行了研究。结果表明,在富磷条件下拉制的InP单晶会出现孔洞,致使在孔洞周围及远离区域晶体结晶质量和晶格常数存在差异,并且孔洞的存在会造成杂质分布的不均匀性。由于孔洞附近区域具有较高浓度的缺陷,而缺陷对杂质的吸引作用致使孔洞附近区域杂质浓度较远离孔洞区域有所增加。
- 杨帆杨瑞霞陈爱华孙聂枫刘志国李晓岚潘静
- 关键词：磷化铟
- InP晶片位错密度分布测量被引量：2
- 2011年
- 采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的InP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响。从数值看,一般掺S的材料位错密度较低,随着掺杂浓度的增加位错密度明显降低,晶片的均匀性也越好。掺Fe的材料位错密度一般,但随着掺杂量的增大位错密度升高,晶片的位错分布也不均匀。非掺杂材料的位错一般较多,但均匀性较好。通过工艺改进可以明显降低位错,为今后进一步开展晶体完整性研究、改进工艺、提高单晶质量打下了良好的基础。
- 潘静杨瑞霞骆新江李晓岚杨帆孙聂枫
- 关键词：LEC法
- 非接触四波混频技术测试InP单晶
- 2011年
- 利用四波混频(FWM)技术测试了非掺杂、掺Fe半绝缘InP单晶的光电特性,对载流子的产生、复合和输运等过程进行了研究,分析了深陷阱在载流子的产生与输运中的作用,并给予了解释。利用光栅衰减动力学得到在不同激发水平下非平衡自由载流子的扩散系数和复合时间。通过分析衍射效率和激发能量之间的相互关系,测定了缺陷的电学特性,即它们在光照下的传输和对载流子传输的贡献。这种技术可以通过测量时间和空间上的载流子分布,进而利用光学技术测试半导体材料的光电特性。
- 潘静孙聂枫朱嘉祯杨瑞霞李晓岚杨帆骆新江
- 关键词：磷化铟晶体四波混频
- InP单晶的磁光和热电效应被引量：1
- 2011年
- 对同一原生非掺杂InP单晶进行了一系列物理测试分析，研究了材料的光电导率与温度的依从关系，在295～318K内，温度系数为-3×10^-4eV／K，测得的室温禁带宽度为1．3392eV。禁带宽度Eg的磁性系数为8．6×10^-4eV／T，材料的磁光特性测量结果为1．8T。由此数据可得，约化电子有效质量mr·为0．067m0。由热电功率测量结果可得室温塞贝克系数为565μV／K。由此值以及霍尔测量值，可计算出状态密度有效质量md·为0．0757m0。由该值和上面提到的约化电子有效质量可得到InP样品的价带电子有效质量mv·为0．591m。。
- 潘静李晓岚杨瑞霞孙聂枫
- 关键词：磷化铟
- 8毫米功率HBT研究
- 1996年
- 简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ；ｆｏ＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。
- 焦智贤蔡克理曾庆明王全树潘静
- 关键词：异质结双极晶体管微波功率HBT
