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太赫兹辐射探测用Cr:ZnTe晶体的性能分析: 对应用于THz辐射探测用的Cr掺杂的ZnTe晶体,进行了光学透过性能的表征。晶体的红外透过率约为50%,且随波数的增大而下降。Cr掺杂在ZnTe中引入了新的深能级,导致了在红外-可见-紫外波段出现特征吸收峰。利用透射型T...; 杨睿介万奇徐亚东杨敏; 关键词：ZNTE 太赫兹时域光谱; 文献传递

GD12-008太赫兹辐射探测用Cr:ZnTe晶体的性能分析: 对应用于THz辐射探测用的Cr掺杂的ZnTe晶体，进行了光学透过性能的表征.晶体的红外透过率约为50％，且随波数的增大而下降.Cr掺杂在ZnTe中引入了新的深能级，导致了在红外-可见-紫外波段出现特征吸收峰.利用透射型T...; 杨睿介万奇徐亚东杨敏; 关键词：ZNTE 太赫兹时域光谱; 文献传递

ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe:Cr晶体的光谱性能被引量：1: 2012年; 采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征。紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570～750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收。低温光致发光(PL)谱分析表明,晶体在530 nm附近和595～630 nm之间出现近带边(NBE)发射和自激活(SA)发射。进一步分析表明,NBE发射由受主束缚激子(A1,X)峰、电子-受主对(e,A)峰和施主-受主对(DAP)发光峰组成。利用Arrhenius公式对变温PL谱上的NBE峰进行拟合,得出样品在低温(<50 K)和高温(>50 K)时的热猝灭激活能分别为3.87 meV和59.53 meV。红外荧光谱分析表明,ZnTe∶Cr晶体的室温荧光发射带为2～2.6μm,荧光寿命为1.0×10-6s。; 魏小燕孙晓燕刘长友徐亚东杨睿介万奇

碲溶剂法生长的Zn_(1-x)Cr_xTe稀磁半导体晶锭中富碲相的研究被引量：2: 2011年; 利用碲溶剂法生长Zn1-xCrxTe晶体晶锭,用红外透过显微镜及扫描电子显微镜观察了晶锭不同位置富碲相的分布与形态。结果表明:晶锭的外围存在一层富碲相,Zn1-xCrxTe晶体的中部碲夹杂相较少,碲在晶界处易富集;红外透过显微成像所显示的晶粒内部的较大碲夹杂相呈六边形,而晶界处的碲夹杂相形状不规则。; 杨睿孙晓燕刘长友徐亚东查钢强王涛介万奇

温度梯度溶液法生长的Cr掺杂的ZnTe晶体的表征被引量：1: 2015年; 以Cr Te作为掺杂源、以Te作为溶剂,用温度梯度溶液法生长了Cr掺杂的Zn Te晶锭。晶锭头部的晶粒尺寸较大(>10 mm×10 mm),且Te夹杂相较少。Te夹杂相的大小、形状和分布可以反映晶锭中的温场分布。晶锭的径向非对称温场导致富Te相沿径向非对称分布。Te夹杂相在温度梯度作用下的热迁移会导致其相互融合长大、变长。Te夹杂相也会在晶体中引入裂纹和空洞等缺陷。部分未被掺入Zn Te中的Cr Te富集于固液界面处,表明温度梯度溶液法生长晶体时具有一定的排杂作用。Cr掺杂的Zn Te晶体的电阻率(约1000?·cm)高于未掺杂的Zn Te(约300?·cm)。Cr掺杂晶体在约1750 nm处的吸收峰表明Cr2+离子被成功地掺入了Zn Te中。但是Cr掺杂后晶体的红外透过率降低,表明Cr掺杂引入了较多的缺陷。; 杨睿介万奇孙晓燕杨敏呼唤蔺云; 关键词：晶体生长

In掺杂对MVB-Te溶剂法生长的ZnTe晶体光电性能的影响被引量：1: 2014年; 采用Te溶剂结合改进的垂直布里奇曼法(MVB)制备了In∶ZnTe与ZnTe晶体,并对晶体的光学与电学特性进行了表征。通过红外透过显微成像技术观察了In∶ZnTe与ZnTe中的Te夹杂并进行了统计分析,发现In掺杂未对ZnTe中的Te夹杂的分布和尺寸产生显著影响。红外透过光谱分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体的红外透过率曲线均表现出平直的趋势,且其平均透过率基本相等,约为60%,进一步表明In的掺入并未导致严重的晶格和杂质吸收。然而,I-V测试分析发现,In掺杂使得ZnTe晶体的电阻率提高了5个数量级。同时Hall测试分析表明,In∶ZnTe与ZnTe晶体均为p型导电,In掺杂很大程度上补偿了晶体中的V Zn,使得晶体中的载流子浓度降低了4个数量级。对比了两种晶体的紫外-可见-近红外透过光谱,可以观察到,In掺杂使ZnTe的吸收边从550 nm红移到560nm,这可能是由于In掺杂引入的浅能级导致的吸收边带尾现象造成的。; 刘航介万奇徐亚东杨睿

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杨睿