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曹全军

作品数：1 被引量：1H指数：1
供职机构：西安电子科技大学微电子学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇频散
  • 1篇跨导
  • 1篇4H-SIC
  • 1篇MESFET

机构

  • 1篇教育部
  • 1篇西安电子科技...

作者

  • 1篇孙明
  • 1篇邵科
  • 1篇张义门
  • 1篇张玉明
  • 1篇曹全军

传媒

  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析被引量：1
2007年
在建立正确模型的基础上,运用ISE软件的二维仿真,模拟了4H-SiC MESFET在交流小信号条件下,表面陷阱和体陷阱对跨导和漏电导随频率变化的影响。分析了产生频散效应的原因以及内部机理,同时考虑了不同环境温度对跨导的频散影响。结果表明,在低频条件下,陷阱会导致跨导和漏电导频散,漏电压越大,环境温度越高,频散越不明显。
邵科曹全军张义门张玉明孙明
关键词：4H-SICMESFET跨导频散
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